Магнитное состояние - вещество
Cтраница 3
Совершенно иные требования предъявляются к материалам, которые предназначаются для изготовления. Магнитное состояние вещества постоянного магнита характеризуется некоторой точкой F ( см. рис. 1 - 36) части гистерезисной петли, расположенной во втором квадранте. От таких материалов требуется, чтобы они обладали высокой остаточной индукцией Вг и большой коэрцитивной силой Нс. Последнее необходимо для того, чтобы намагниченность постоянного магнита была устойчивой. Магнитные свойства этого сплава обусловлены не только его составом, но и специальной обработкой: после отливки магнит охлаждается в сильном магнитном поле. [31]
Каждый молекулярный ток в магнетике обладает определенным магнитным моментом, а значит, и магнетик в целом при намагничивании приобретает магнитный момент, равный векторной сумме моментов всех молекулярных токов. Поэтому магнитное состояние вещества можно вполне охарактеризовать, задавая магнитный момент каждой единицы его объема. [32]
Известно, что времена электроной спин-решеточной релаксации при определенном строении твердого тела определяются его температурой. Поэтому и магнитное состояние вещества определяется не только непосредственно его электронным строением, но также и температурой. Следовательно, существенная дополнительная информация получается при изучении температурной зависимости величины магнитного поля на ядрах. [33]
Тогда для описания магнитного состояния вещества рассматриваются два вида I к В, а следовательно, и два вида размагничивающих факторов: баллистический NB и магнитометрический NM - Баллистический размагничивающий фактор используется в тех случаях, когда / измеряется в средней части образца. Магнитометрический размагничивающий фактор применяется при усреднении значений / и В по всему объему образца, что имеет место при магнитометрических измерениях. [34]
Выше мы занимались классической теорией ферромагнитного резонанса, которая основана на представлении об однородной прецессии вектора намагниченности, и на ряде примеров показали, как теория применяется в наиболее часто встречающихся в экспериментальной практике условиях. При этом мы предполагали, что магнитное состояние вещества ( образца) полностью определяется макроскопической намагниченностью, как это действительно имеет место для ферромагнетиков, и не учитывали возможность существования магнитных подрешеток. Влияние подрешеток на ферромагнитный резонанс будет рассмотрено в данном параграфе. Мы покажем, что полученные ранее результаты формально остаются справедливыми и для ферримагнетикок. Одновременно мы увидим, что наличие спонтанно намагниченных подрешеток приводит к ряду новых явлений, которые невозможны в обычных ферромагнетиках. [35]
Ю-7 Г / м 4я 10 - 9 Г / см; ц а В / Н - абсолютная магнитная проницае-м о с т ь и fi jia / in - относительная магнитная проницаемость. Магнитная проницаемость зависит от строения и магнитного состояния вещества и в общем случае изменяется с изменением напряженности магнитного поля. [36]
Магнитная проницаемость зависит от строения и магнитного состояния вещества и в общем случае изменяется с изменением напряженности магнитного поля. [37]
Так как Fl - F2, то прямая ОМ, дающая связь между F, и Ф, является зеркальным отражением прямой 01 в оси ординат. Очевидно, точка b пересечения луча ОМ с кривой размагничивания abc и определяет магнитное состояние вещества магнита при наличии воздушного зазора. [38]
 |
На 77 прямая OL изображает. [39] |
ОМ, дающая связь между Ft и Ф, является зеркальным отражением прямой OL в оси ординат. Очевидно, точка Ь пересечения луча ОМ с кривой размагничения adc и определяет магнитное состояние вещества магнита при наличии воздушного зазора. [40]
Так как FI - - Fz, то прямая ОМ, дающая связь между F1 и Ф, является зеркальным отражением прямой OL в оси ординат. Очевидно, точка b пересечения луча ОМ с кривой размагничивания abc и определяет магнитное состояние вещества магнита при наличии воздушного зазора. [41]
Так как FI - - F2, то прямая ОМ, дающая связь между Рг и Ф, является зеркальным отражением прямой OL в оси ординат. Очевидно, точка b пересечения луча ОМ с кривой размагничивания abc и определяет магнитное состояние вещества магнита при наличии воздушного зазора. [42]
Рассмотрим применение магнитных материалов в элементах памяти современных электронно-вычислительных машин. Информация в этом случае записывается в двоичной системе исчисления, причем в качестве нуля и единицы фигурируют два магнитные состояния вещества. Как правило здесь используются магнитные материалы с практически прямоугольной петлей гистерезиса, поскольку это способствует повышению качества записи и считывания, хотя и требует при записи определенного уровня мощности для преодоления коэрцитивной силы. Запоминающие устройства можно разделить на два больших класса - динамические и статические. [43]
Микроскопические плотности токов в намагниченном веществе, разумеется, очень сложны. Однако во многих практических задачах нас интересуют только поля вне вещества или средние магнитные поля внутри него, причем под средним мы имеем в виду усреднение по очень многим атомам. В таких макроскопических задачах магнитное состояние вещества удобно описывать через намагниченность М - средний магнитный момент единицы объема. [44]
До сих пор предполагалось, что кристалл свободен от упругих деформаций. При наличии механических напряжений кроме кристаллографической анизотропии возникает магнитоупругая анизотропия, вызванная дополнительным магнитным взаимодействием атомов в результате искажения решетки при деформации. Механические напряжения могут возникнуть в результате изменения магнитного состояния вещества ( магнитострикция), а также под действием внешних сил, приложенных к образцу. [45]
Страницы: 1 2 3 4