Резонансное состояние

Cтраница 1

Резонансные состояния могут возникнуть, если эффективное взаимодействие частиц системы как ф-цпя относит, расстояния немонотонно. Такой случай реализуется, напр. Такая система распадается на составные части путем туннельного эффекта. [1]

Резонансные состояния элементарных частиц) позволяет применить и к ним понятие о PS - или PV-взаимодействиях. [2]

Вблизи резонансного состояния при / 0 или при значительном повышении вибрационной нагрузки толщина несущего слоя настолько увеличивается, что может превысить изгибы профиля плиты. Тогда свойства рассматриваемых слоев газа приближаются к описанным ранее свойствам его плоских несущих слоев. Зависимость относительной толщины несущего слоя Н от вибрационной нагрузки / при умеренной ее величине представляется двухзначной функцией ( см. рис. 37) или же многозначной функцией, что определяется характером профиля плиты и величиной неровностей. [3]

Резонансному состоянию не обязательно должна отвечать положительная энергия падающего нейтрона; оно может осуществляться при энергии возбуждения, меньшей энергии связи нейтрона в составном ядре. Хотя при таких обстоятельствах резонанс не будет наблюдаться в прямых опытах с нейтронами, тем не менее он является причиной большого сечения захвата нейтронов с тепловыми энергиями ( порядка 0 025 эв), если только ширина резонанса не слишком мала по сравнению с разностью резонансной энергии и энергии возбуждения компаунд-ядра, образовавшегося при захвате теплового нейтрона. [4]

Резонансным состоянием является ls - экситон желтой серии, который мы будем в дальнейшем называть а-экситоном. Когда частота MI достаточно близка к линии поглощения а-экситона, рассмотренная диаграмма является доминирующей при рассеянии, несмотря на слабое квадрупольное взаимодействие. Следовательно, при РКРС, состоящем из комбинации этих двух процессов, имеется много возможных способов сравнения теоретических и экспериментальных резонансных кривых. [5]

Резонансными состояниями называются такие, в которые разрешен дипольный излучательный переход из основного состояния. В случае перехода в резонансные состояния матричный элемент оператора дипольного момента атома ( Dx) 0n отличен от нуля, т.е. в эти состояния осуществляются наиболее эффективные переходы при столкновении быстрого электрона с атомом. [6]

Уширение резонансного состояния возникает в том случае, когда под действием сильного поля лазерного излучения вероятность вынужденного перехода из данного состояния превышает вероятность его спонтанной релаксации. Типичным примером является тот случай, когда переход из резонансного состояния в непрерывный спектр ( ионизация) имеет степень нелинейности гораздо меньшую, чем степень нелинейности процесса мно-гофотониого возбуждения. Этот эффект наиболее велик, если переход в непрерывный спеитр носит однофотоиный хараитер. [7]

Таблицы резонансных состояний упорядочены по семействам с одинаковыми барионными числами и странностями. Вначале идут мезонные нейтронные резонансы, затем мезонные резонансы со странностью, отличной от нуля, и, наконец, новые тяжелые резонансы. Барион-ные резонансы, кроме того, разделены по изотопическому спину. [8]

Для нахождения резонансных состояний чаще всего пользуются тензодатчн-ками. Резонансные пики хорошо улавливаются, если в качестве индикатора используется при этом катодный осциллограф. [9]

Вместо этого возникают резонансные состояния, перекрывающиеся с зонной структурой кристалла, волновые функции которых образуют гибриды с блоховскими функциями. Присутствуя в достаточных количествах, они могут создавать твердые растворы со случайным распределением типа Саж А11 ж As. Зонную структуру твердых растворов можно рассчитать, предположив, что кристалл является идеальным за тем исключением, что в нем имеется эффективный средний потенциал, или виртуальный кристаллический потенциал. Такой подход называется приближением вир-туалъного кристалла. Эти электроны могут вводиться при n - легировании или при оптическом возбуждении. После того, как N захватил электрон и стал отрицательно заряженным ( что в дальнейшем будет обозначатся как N -), он, подобно акцептору, притягивает дырку. Вследствие этого N в GaP называется из о электронным акцептором. Подобным же образом, Bi ( электроотрицательность которого, равная 1 24, меньше, чем у Р) является в GaP изоэлектронным донором. Изоэлектронные примеси везде электрически нейтральны, кроме области непосредственно вблизи примеси. Поэтому их потенциалы всегда являются короткодействующими. [10]

Квазиядерные системы, связанные и резонансные состояния пар барион-анти-барион с весьма малым дефектом массы по ср. [11]

Различают два вида резонансных состояний: резонанс напряжений и резонанс токов. [12]

Результаты спектрального анализа вибраций на роторе турбины. [13]

Это значит, что резонансное состояние по крутильным колебаниям ротора турбины вызывается возмущениями, исходящими: от второй ступени редуктора. [14]

При этом надо избегать резонансных состояний, которых у рассматриваемой системы будет четыре и при которых коэффициент виброизоляции принимает большие значения. Резонансные частоты находятся из ( 2 - 113), если приравнять нулю знаменатель этого выражения. [15]

Страницы: 1 2 3 4