Энергетическое состояние - валентный электрон
Cтраница 1
Энергетические состояния валентных электронов также образуют зону уровней энергии, называемую валентной. [1]
 |
Электрофизические свойства изученных моносилицидов. [2] |
В настоящем сообщении нами предлагаются возможные варианты электронно-валентного взаимодействия и схемы энергетического состояния валентных электронов в моносилицидах с решеткой типа FeSi, позволяющие качественно объяснить наблюдаемые у них особенности электрофизических и магнитных характеристик. [3]
Энергетические, оптические, тепловые и некоторые другие свойства кристаллов зависят от энергетического состояния валентных электронов. [4]
Так как свойства вещества - механические, электрические, оптические, химические - определяются энергетическим состоянием валентных электронов, то в первую очередь нас интересует соответствующий участок энергетического спектра. Параметры последнего - значения ширины валентной, запрещенной зон, зоны проводимости и положение различных локализованных уровней - могут быть определены путем изучения оптических спектров, электропроводности и других свойств твердого вещества ( см. гл. Зная эти параметры, можно решать обратную задачу: определять по ним неизвестные нам свойства вещества. Не случайно общепринятое деление твердых веществ на изоляторы, проводники, полуметаллы и металлы основывается на значениях ширины запрещенной зоны. [5]
Для атомных соединений двум типам твердых веществ - кристаллическим и аморфным - отвечают ва типа электронных структур: энергетические состояния валентных электронов в структурах лервого типа группируются в квазинепрерывные зоны, в структурах второго типа локализуются. И в том, и в другом случае каждое твердое тело имеет единую электронную структуру. [6]
Для изолированных атомов энергетические зазоры достаточно велики. Так, разность энергетических состояний валентных электронов соответствует излучению или поглощению колебаний с частотой, лежащей в диапазоне видимого света. Энергетические зазоры между уровнями электронов внутренних оболочек еще больше; переходы этих электронов сопровождаются рентгеновским излучением. [7]
Решение волнового уравнения Шредингера для кристаллов и аморфных тел приводит к различным результатам. В то время как энергетические состояния валентных электронов, принадлежащие твердому телу периодического строения, образуют квазинепрерывные зоны, - - для веществ непериодического строения характерно локализованное состояние валентных электронов. [8]
Изучая остов вещества, мы получаем представление о последовательности межатомных связей и, следовательно, об электронной структуре вещества. Однако нас интересует не только местонахождение, но и энергетическое состояние валентных электронов, от которого зависят свойства вещества, включая его реакционную способность. [9]
 |
Таблиц 2. Библиографий 29. [10] |
На основе исследования электрофизических свойств монокристаллов моносилицида кобальта предложена двухзонная энергетическая схема для свободных носителей, которая связана, по нашим предположениям, с частичным перекрытием двух Sd-зон атомов кобальта. На основе предложенной валентной схемы, полученных данных по энергетическому спектру свободных носителей заряда и литературных данных по магнитной восприимчивости предложена модель энергетического состояния валентных электронов в моносилициде кобальта. Предложенная общая схема строения распространена на другие представители этой группы соединений ( FeSi, MnSi, CrSi), что в определенной степени позволило объяснить изменение их электрофизических свойств с изменением числа Sd-электронов у металлических атомов. [11]
Бугером, вследствие чего носит название закона Бугера. Вследствие изменения энергетического состояния валентных электронов возбужденной молекулы ее оптические свойства, определяющие вероятность поглощения нового фотона, также изменяются. В том случае, если число возбужденных молекул вещества оизмеримо с общим числом молекул, изменение плотности падающего на вещество потока должно изменять его макроскопические оптические свойства. Таким образом, постоянство показателя ослабления ( i при переменных значениях падающего потока возможно лишь в том случае, если число взаимодействующих с излучением молекул в каждый данный момент невелико по сравнению с общим числом молекул вещества. Это условие для большинства веществ выполняется, так как время возбужденного состояния молекул для большинства веществ очень мало ( порядка 10 - 8 с), вследствие чего закон Бугера с достаточной точностью характеризует закон ослабления излучения для большинства тел, встречающихся в природе. Выбирая вещество, для которого время пребывания в возбужденном состоянии значительно больше 10 - 8 с, и применяя мощный пучок лучей, С. И. Вавилов получил, как и следовало ожидать, уменьшение показателя ослабления при увеличении плотности облучения. [12]
Метод может быть также легко применен на производстве для контроля технологических процессов. Другое интересное, хотя и ограниченное применение находит этот метод для определения химического состояния элемента путем прецизионного измерения сдвигов длины волны. Эти сдвиги возникают вследствие разницы в энергетических состояниях валентных электронов и имеют порядок 0 01 А. Основной недостаток метода эмиссии рентгеновских лучей связан с большой стоимостью эталонов. Серьезную проблему для многокомпонентных пленок толщиной до 1000 А представляет явление межэлементных взаимодействий, таких как селективная абсорбция и повторная эмиссия излучения одного элемента под воздействием другого. Междуэлементные взаимодействия могут быть скорректированы математически или экспериментально путем приготовления эталонов, где толщина, состав и история по возможности близко дублируют образец. [13]
Страницы: 1