Электронное энергетическое состояние
Cтраница 1
Электронные энергетические состояния находятся на столь значительном расстоянии друг от друга, что при обычных температурах практически все молекулы оказываются в своем основном электронном состоянии и колебательные переходы не нарушают электронную конфигурацию. [1]
На рис. 16 показаны электронные энергетические состояния в полупроводниках донорного, акцепторного или частично компенсированного типов. [2]
Известно много факторов, которые видоизменяют электронные энергетические состояния в магнитном поле. Мы рассмотрим эти факторы постепенно при обсуждении спектров ЭПР сложных систем. [3]
Как известно, отдельный атом может находиться в возбужденном электронном энергетическом состоянии, отличающемся от основного ( наинизшего) состояния конечной энергией возбуждения. Однако в среде, состоящей из большого числа одинаковых, сильно взаимодействующих между собой атомов или молекул, такое локализованное возбуждение является неустойчивым и как бы перескакивает с одного атома на другой. [4]
В сумму ( 6 - 38) включены все поступательные, колебательные, вращательные и электронные энергетические состояния. [5]
 |
Теплоемкость серебра при низких температурах. [6] |
Согласно этой теории, предполагается, что тепловые колебания, как и электронные энергетические состояния, также квантуются. [7]
 |
Возникновение электронно-колебательных полос флуоресценции, фосфоресценции и поглощения. [8] |
Степень поглощения световой энергии не является одинаковой во всем интервале длин волн; существуют области максимального поглощения, соответствующие различным электронным энергетическим состояниям молекулы. Интенсивность и контур полос поглощения определяются вероятностью электронных переходов и разностью энергий колебательных уровней соответствующих электронных состояний молекулы. Количество поглощенной энергии зависит также от средней энергии, подводимой к каждой молекуле в единицу времени. Следовательно, если интенсивность падающего света поддерживается постоянной на определенном уровне в течение данного промежутка времени, то можно наблюдать спектр поглощения. [9]
Символы при атомах Hg называют термами. Ими обозначают электронное энергетическое состояние атома. Сейчас для нас будет представлять интерес только левый верхний индекс, равный числу неспаренных электронов плюс единица. Так, ЪР соответствует двум неспаренным электронам, So указывает, что неспаренных электронов нет. [10]
Эта характеристика дает лишь общее представление о типах спектров и отражаемых ими явлений, поскольку здесь имеются и исключения. В частности, существуют и такие переходы между электронными энергетическими состояниями, которые попадают в диапазон сверхвысоких частот. В некоторых случаях в диапазоне сверхвысоких частот могут непосредственно наблюдаться ядерные эффекты. [11]
Эдварде [2] ( см. также работу Кьюзака [102]) основывает свои выводы, которые далеко не являются строгими, на частичном суммировании возмущенного ряда. Преимущество его теории в том, что при вычислении электронных энергетических состояний можно получить сведения о структурном факторе S ( K) и потенциале рассеяния с единым центром для иона с электронной оболочкой. [12]
Эдварде [2] ( см. также работу Кьюзака [102]) основывает свои выводы, которые далеко не являются строгими, на частичном суммировании возмущенного ряда. Преимущество его теории в том, что при вычислении электронных энергетических состояний можно получить сведения о структурном факторе S ( K) и потенциале рассеяния с единым центром для иона с электронной оболочкой. [13]
Если предположить, что структура энергетических зон нитридов ниобия и циркония подобна, то разница концентрации валентных электронов в них будет сказываться в основном в различной степени заполнения энергетической зоны. Предполагаемая теорией БКШ [3 ] связь между Тк и плотностью электронных энергетических состояний у поверхности Ферми дает основание предположить, что различие характера концентрационной зависимости Тк в областях гомогенности ZrN и NbN отражает особенности хода кривой плотности состояний у поверхности Ферми при заполнении энергетической зоны, непрерывно возрастающей от ZrN до NbN стехиометрического состава и имеющей максимум при электронной концентрации между 4 5 и 5 эл / апгом. [14]
В отличие от меди у серебра электронный слой заполняется без всяких осложнений, так как у расположенного перед ним палладия имеется уже завершенный внешний 18-электронный слой без электронов на Ss-подуровне. В атоме серебра 47 - й электрон просто начинает заполнение 55-орбитали и тем самым повторяется электронное энергетическое состояние внешнего слоя рубидия. [15]
Страницы: 1 2