Cтраница 1
Основные энергетические состояния каждой связи посредством электронной пары - это те состояния, в которых участвует по одной собственной функции от каждого из взаимодействующих атомов. [1]
Поскольку в основном энергетическом состоянии кристалла электроны занимают самые нижние уровни электронной энергии, схема заселения оказывается такой, как на рис. 2.27. Наинизшее энергетическое состояние заполнено, и поэтому не может быть излучательных переходов. [3]
![]() |
Схемы распада с указанием излучений, испускаемых изото. [4] |
Линии со штриховкой отвечают основным энергетическим состояниям ядер, появляющихся в результате распада. [5]
Если атом находится в основном энергетическом состоянии, то во всех случаях для его ионизации энергия, подводимая к этому атому, должна быть равна или больше его энергии ионизации. Здесь k и Л - постоянные Больцмана и Планка соответственно; Т - температура плазмы; / - длина свободного пробега электрона в электрическом разряде; Еи - напряженность электрического поля; v - частота излучения. Если же атом находится в возбужденном энергетическом состоянии, то для его ионизации достаточно энергии, меньшей Et на величину энергии возбуждения. [6]
Спектроскопические данные показывают, что в основном энергетическом состоянии 32 - молекула кислорода содержит два неспаренных электрона. [7]
Считается, что все молекулы находятся в основном энергетическом состоянии. [8]
Возбужденные молекулы теряют избыток энергии и возвращаются в основное энергетическое состояние. Если этот процесс сопровождается излучением света, он называется фотолюминесценцией. Если промежуток времени между поглощением и излучением света превышает 10 - 9 сек, то явление излучения света называется фосфоресценцией; если же промежуток меньше 10 - 9 сек, возникает флуоресценция. [9]
При протекании элементарной химической реакции исходные вещества переходят из основного энергетического состояния в возбужденное. Этот переход сопровождается изменением конфигурации реагирующих частиц и изменением потенциальной энергии состоящей из них системы реагирующих частиц. [10]
В дальнейшем при рассмотрении ионной разупорядоченности кристаллов предполагается, что основное энергетическое состояние ионных дефектов отвечает их полной ионизации, при которой эффективные заряды дефектов по абсолютному значению равны валентностям соответствующих компонентов кристалла. [11]
Пусть поток электронов падает на атом водорода, находящийся в основном энергетическом состоянии. Интенсивность пучка такова, что через единицу площади в единицу времени проходит 1 электрон. [12]
Пусть поток электронов падает на атом водорода, находящийся в основном энергетическом состоянии. Интенсивность пучка такова, что через единицу площади в единицу времени проходит 1 электрон. Падающий электрон возбуждает атом в п-е состояние. При этом электрон отклоняется на угол В. [13]
Пусть поток электронов падает на атом водорода, находящийся в основном энергетическом состоянии. Интенсивность пучка такова, что через единицу площади в единицу времени проходит 1 электрон. Падающий электрон возбуждает атом в п-е состояние. [14]
На этих схемах приведены энергетически наиболее выгодные способы размещения электронов, соответствующие основным энергетическим состояниям атомов. Перемещая электроны с нижних на более высоко расположенные орбитали, можно получить энергетические схемы для атомов в возбужденных состояниях. [15]