Cтраница 4
Основное состояние иона аргона Is22s22p63s23p5 расщеплено на два подуровня. Низшие возбужденные состояния иона Аг соответствуют переходам одного из электронов оболочки Зр5 в более высокие состояния 4s или 4р, расщепленные на ряд подуровней. Возбуждение ионов Аг происходит в результате их столкновений с быстролетящими электронами при дуговом разряде. [46]
Спектр низших возбужденных состояний обогащается, так как возбуждаться могут как внешний нуклон, так и остов. [47]
Предскажите, какое из этих возбужденных состояний расположено выше другого на энергетической диаграмме. Является ли низшее возбужденное состояние молекулы Н2 парамагнитным или диамагнитным. [48]
Многие отличия легко понять, если для описания молекулы в возбужденном состоянии использовать простую теорию МО. Например, низшее возбужденное состояние альдегидов и кетонов является результатом я я - перехода. Электрон с орбитали неподеленной пары кислорода переходит на разрыхляющую я - орбиталь карбонильной группы. Эта орбиталь локализована на углероде в точности так же, как связывающая я-орбиталь локализована на кислороде. [49]
Замещающая группа, находящаяся в положении 1, будет влиять как на возбужденное, так и на основное состояние катиона в противоположном направлении, тогда как заместитель в положении 2 будет заметным образом влиять только на основное состояние. Различие между низшими возбужденными состояниями этилена и аллил-катиона состоит в том, что в случае катиона электрон орбитали 4Ф 2 является несвязывающим, а в случае этилена - разрыхляющим. [50]
В том случае, когда квант поглощаемой энергии недостаточно велик для переброса электрона в зону проводимости, электрон может перейти на один из возбужденных уровней своего атома, не отрываясь от него. При этом возможно образование одного из низших возбужденных состояний в кристаллической решетке - экситонного. Экситон - это незаряженная пара электрон - дырка, возникающая, в частности, при освещении вещества и объясняющая многие явления, относящиеся к фотоэлектрической активности. Экситон способен перемещаться по кристаллу, не вызывая при этом электрического тока, и может либо вернуться в невозбужденное состояние ( с выделением поглощенного кванта), либо, получив дополнительную энергию ( например, в результате нагрева вещества), диссоциировать с образованием нормальных носителей заряда - электрона в зоне проводимости и дырки в валентной зоне. [51]
В изложенных выше соображениях о диффузии свободных экситонов неявно предполагалось, что в результате рассеяния экситон остается в пределах одной и той же экситонной зоны. В действительности в молекулярных кристаллах в области низших возбужденных состояний обычно имеется несколько близко расположенных экситонных зон ( энергетическое расстояние порядка 0 05 эв), что может быть связано, например, либо с давыдовским расщеплением, либо с образованием электронно-колебательных зон. Это обстоятельство приводит к тому, что только при очень низких температурах в диффузии экситонов участвует одна самая низкая экситонная зона. При более высоких температурах имеет значение также заселенность и других зон. [52]
В связи с этим следует подчеркнуть, что изменение характера заместителей или введение дополнительных остатков в молекулу красителя может привести к резкому изменению его фотохимической активности. Это может быть связано с изменением природы низшего возбужденного состояния ( например, переход от класса I к классу II) или с образованием короткоживущих внутримолекулярных интермедиатов, которые способны к быстрой безызлуча-тельной дезактивации. В последнем случае может наблюдаться уменьшение активности красителей. [53]