Закрытое состояние - ключ - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если тебе завидуют, то, значит, этим людям хуже, чем тебе. Законы Мерфи (еще...)

Закрытое состояние - ключ

Cтраница 1


Закрытое состояние ключа характеризуется несколькими параметрами, и прежде всего максимально допустимым напряжением, при котором развивается лавинный пробой в структуре. Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя ( 3.34) определяется уменьшением подвижности носителей заряда при повышении температуры перехода. С уменьшением скорости носителей уменьшается интенсивность ударной ионизации и для поддержания лавинного процесса необходима большая напряженность электрического поля. При заданной геометрии структуры это приводит к необходимости увеличения внешнего напряжения.  [1]

Закрытое состояние ключа характеризуется тем, что ток эмиттера равен нулю.  [2]

Потери в закрытом состоянии ключа или в режиме отсечки, определяемые токами утечки и напряжением в выходной цепи.  [3]

По указанным причинам рекомендуется применять схемы управления с отрицательным смещением в цепи затвор-исток при закрытом состоянии ключа ( 6.59), а также специальные типы МДП-транзисторов, в которых эффект отпирания паразитного биполярного транзистора подавлен технологическими методами управления временем жизни носителей Более эффективным является применение транзисторных модулей полумостовой конфигурации с отдельно встроенными кристаллами обратных диодов ( 6.60), динамические характеристики которых оптимизированы для режима мягкого восстановления. На 6.61 показаны ограничения накладываемые на токовую нагрузку ключей при воздействии динамических эффектов напряжения и тока для различных типов МДП-транзисторов.  [4]

При использовании импульсного трансформатора площади положительной и отрицательной части передаваемого сигнала 4.15) на интервалах открытого и закрытого состояния ключа равны друг другу. При увеличении относительной длительности прямого сигнала происходит уменьшение его амплитуды Увеличение скважности более чем на 30 % приводит к снижению амплитуды напряжения управления от 15 В до уровня менее 12 В, что является пределом для ключей с изолированным затвором. Попытки расширить рабочий диапазон скважности за счет увеличения напряжения питания ФИУ ограничены амплитудой 20 В, как правило, максимально допустимой для изолированных затворов.  [5]

Динамические параметры, представляющие максимально допустимые скорости изменения тока и напряжения, соответственно, в открытом и закрытом состоянии ключа, а также паразитные емкости и индуктивности.  [6]

Если на вход подано постоянное отрицательное напряжение, то транзистор находится в режиме отсечки ( см. § 4.3), ток коллектора, протекающий через резистор R2, практически равен нулю, а напряжение на выходе равно напряжению источника питания Е &, что соответствует закрытому состоянию ключа.  [7]

Рассматривая возможные способы управления ключами импульсного стабилизатора напряжения, можно выделить три основных способа: широтно-импульсную модуляцию, при которой частота импульсов остается постоянной, но меняется длительность открытого состояния ключа; частотно-импульсную модуляцию, при которой частота импульсов меняется, но и длительность открытого состояния ключа остается неизменной, и, наконец, двухпозиционное ( релейное) регулирование, при котором время открытого и закрытого состояния ключа определяется временем колебаний выходного напряжения стабилизатора в заданных границах.  [8]

9 Схемы отечественных МОП-ключей. [9]

Она содержит два ключевых МОП-транзистора, снабженных формирователями, тоже построенными на МОП-транзисторах. Закрытое состояние ключа обеспечивается при подаче на вход формирователя напряжения, лежащего в диапазоне: от - 1 2 до 0 45 В, а открытое - при напряжениях от 2 6 до 5 5 В.  [10]

Несмотря на определенные отличия в структурах рассмотренных ячеек, все они основаны на одном и том же принципе работы. В закрытом состоянии ключа внешнее поле сосредоточено в эпитаксиальной гг-области стока.  [11]

Различают импульсные устройства с несколькими устойчивыми состояниями и устройства с несколькими временно устойчивыми состояниями. В импульсном устройстве первого типа для изменения устойчивого состояния необходимо однократное внешнее воздействие, изменяющее режим транзисторного ключа. В импульсном устройстве с временно устойчивыми состояниями периодически получается открытое и закрытое состояние ключа без внешнего воздействия или состояние ключа восстанавливается через некоторое время после однократного внешнего воздействия.  [12]



Страницы:      1