Закрытое состояние - тиристор
Cтраница 1
Закрытое состояние тиристора соответствует обратному смещению центрального перехода, открытое - прямому. [1]
Закрытое состояние тиристора соответствует участку прямой ветви ВАХ между нулевой точкой и точкой переключения. Под точкой переключения понимают точку на ВАХ, в которой дифференциальное сопротивление равно нулю, а напряжение на тиристоре достигает максимального значения. В закрытом состоянии ( участок / ВАХ на рис. 5.1) к тиристору может быть приложено большое напряжение, а ток при этом будет мал. [2]
 |
Реле перегрузки расцепи-теля серии РП. [3] |
Для обеспечения надежного закрытого состояния тиристора в его управляющую цепь введен диод Д2, на котором создается падение напряжения током, протекающим через RT. Падение напряжения на диоде запирает управляющий переход тиристора. [4]
Ветвь ОР соответствует закрытому состоянию тиристора. При работе на этом участке через тиристор протекает небольшой ток величина которого возрастает при росте напряжения на аноде. [5]
 |
Двухтактный маг. [6] |
Для записи 1 ( закрытое состояние тиристора) необходимо подать отрицательный импульс записи на любой из входов Вх. Запись О ( открытое состояние тиристора) и считывание осуществляются в один такт, поскольку при подаче тактового импульса на вход Вх. ЗТ, и в результате разряда конденсатора С формируется выходной импульс. [7]
Увеличение повторяющихся импульсных напряжений в закрытом состоянии тиристоров требует применения более высокоомного кремния и соответствующего увеличения толщины базовой области с электронной электропроводностью. Увеличиваются при этом и потери активной площади из-за увеличения ширины фаски. Для обеспечения приемлемых значений импульсных напряжений в открытом состоянии в этом случае требуется увеличение времен жизни неосновных носителей в базах тиристора, особенно в толстой высокоомной базе. Тем не менее с ростом повторяющихся напряжений тиристоров при прочих равных условиях увеличиваются времена включения, времена выключения, повышаются импульсные напряжения в открытом состоянии и снижаются ударные неповторяющиеся токи и критические скорости нарастания тока в открытом состоянии. [8]
Значение управляющего параметра п 0 соответствует закрытому состоянию тиристора при положительном напряжении ипр и отсутствии управляющего сигнала. [9]
Практически барьерная емкость коллекторного перехода сказывается сильнее, так как она шунтирует большое активное сопротивление коллекторного перехода, смещенного в обратном направлении при закрытом состоянии тиристора. Барьерные емкости эмиттерных переходов сами оказываются зашунтирован-ными малыми активными сопротивлениями эмиттерных переходов, смещенных при закрытом состоянии тиристора в прямом направлении. Поэтому напряжение включения тиристора с увеличением скорости нарастания основного напряжения уменьшается. [10]
При этом неравновесные заряды, накопленные в базах при прохождении прямого тока, постепенно рассасываются вследствие рекомбинации носителей заряда и спустя некоторое время, называемое временем выключения, восстанавливается закрытое состояние тиристора. [11]
 |
ВАХ тиристора в закрытом состоянии при различных температурах.| Зависимость напряжения переключения от температуры. [12] |
Температурные зависимости обратного ( генерационного) тока коллекторного перехода и коэффициента лавинного умножения имеют противоположный характер. Ток в закрытом состоянии тиристора при этом, как и его обратный ток, может немонотонно зависеть от температуры. [13]
Влияние температуры на обратную ветвь вольт-амперной характеристики и на участок прямой ветви в проводящем состоянии тиристора такое же, как и для неуправляемого вентиля, т.е. с ростом температуры р-лструктуры значения Un и / Обр увеличиваются, а Д1Упр - уменьшается. На участке прямой ветви, соответствующем закрытому состоянию тиристора, величи-на Unep max может для одних типов тиристоров уменьшаться, для других - увеличиваться. [14]
Практически барьерная емкость коллекторного перехода сказывается сильнее, так как она шунтирует большое активное сопротивление коллекторного перехода, смещенного в обратном направлении при закрытом состоянии тиристора. Барьерные емкости эмиттерных переходов сами оказываются зашунтирован-ными малыми активными сопротивлениями эмиттерных переходов, смещенных при закрытом состоянии тиристора в прямом направлении. Поэтому напряжение включения тиристора с увеличением скорости нарастания основного напряжения уменьшается. [15]
Страницы: 1 2