Cтраница 2
Для определения индуцированной радиоактивности иногда необходимо после бомбардировки проводить разделение химическими способами, а именно в тех случаях, когда образуются также и другие радиоактивные изотопы или когда в образце происходит поглощение большей доли измеряемого излучения или последняя неизвестна. В таких случаях добавление неактивных изотопных носителей может облегчить разделение и сделать возможным извлечение активного изотопа. Если нет необходимости в химическом разделении, то преимущество метода над большинством других аналитических методов заключается в том, что при использовании его сохраняется исходное состояние образца. [16]
Для стекла системы СаО - ВаО - А1гОз - SiO2 - TiOj с мольным отношением СаО / ВаО, равным 2, проведено изучение влияния режимов термообработки на структуру, фазовый состав и основные свойства, требуемые для его использования при изготовлении облучающих насадок антенн спутниковой связи. Исследование проводилось как для монолитных образцов стекла, так и для образцов, полученных методом полусухого прессования. Полученные данные показали, что соотношение основных кристаллических фаз ( анортита и цельзиана), температурный интервал их выделения и размер кристаллов зависят от исходного состояния образца. [17]
Под действием бомбардирующих частиц происходят смещения упорядочение расположенных атомов ( или ионов), вследствие чего в кристаллической решетке образуются стабильные и нестабильные дефекты двух типов: пустые узлы и ионы, внедренные в междоузлия. Эти дефекты, как и химические примеси, изменяют энергетический спектр электронов, что ведет к изменению равновесной концентрации носителей тока, создаваемой термиче ским возбуждением. Работа, которую нужно совершить для удаления атома из узла решетки германия, составляет примерно 25 - 30 эв, п поэтому при бомбардировке этого полупроводника быстрыми тяжелыми частицами смещения атомов ( или ионов) из узлов решетки производятся не только са-мимн бомбардирующими частицами, но и теми первично смещенными атомами, которые получили энергию, достаточную для вторичных смещений других атомов решетки. Это объясняется тем, что большая часть созданных облучением дефектов решетки очень быстро залечивается после прекращения облучения, а соответствующим отжигом удается даже полностью восстановить исходное состояние образца. [18]