Cтраница 2
H больше, чем потенциал эмиттера, и условие запирания транзистора Т2 не выполняется. Для обеспечения запертого состояния транзистора Т2 последовательно с ним включается кремниевый переход, напряжение отсечки которого гасит избыток напряжения между базой и эмиттером. [16]
В некоторых вариантах ячеек ДТЛ отказываются от источника смещения Е2 и подключают резистор 2 к общей точке схемы. Это возможно потому, что в переходном процессе запирающий ток базы поступает через диоды смещения, временно протекая через них в обратном направлении за счет заряда, накопленного диодами, а статическое запертое состояние транзистора обеспечивается тем. В) недостаточен для преодоления напряжений отсечки трех кремниевых переходов в цепи точка а - Д - Д - эмштерный переход транзистора. [17]
Для того чтобы импульсы на коллекторах имели неодинаковую длительность ( ti f t2ll), мультивибратор делают несимметричным. Обычно в этом случае транзисторы выбирают однотипными, а коллекторные нагрузки равными. Неравные длительности импульсов получают за счет различной продолжительности запертых состояний транзисторов. [18]