Cтраница 2
SrS Eu может изменяться в результате окислительной или восстановительной обработки образцов. В образцах MgO Mn марганец может присутствовать в валентных состояниях от Мп2 до Мп4 и каждому из них соответствует свой спектр парамагнитного резонанса и люминесценции. Следует отметить, что для проявления одного иона в трех валентных состояниях необходимо наличие двух уровней в запрещенной зоне. Крстер и Винк [173] провели модельный расчет, который показывает, каким образом для системы MgO г Мп должны изменяться с условиями приготовления образцов концентрации марганца в разных валентных состояниях. [16]
Установлено, что, как и для PbS, замещение кадмия висмутом или галлием и серы хлором приводит к увеличению числа доноров и, таким образом, можно приготовить материал с проводимостью n - типа. Донорные центры, обусловленные ионами Ga3 и С1 -, так же, как и избыточным кадмием, имеют энергетические уровни, отстоящие примерно на 0 02 эв от дна зоны проводимости. Введение одновалентных ионов, например ионов Ag -, приводит к возникновению акцепторных уровней, которые в материале с проводимостью n - типа вызывают понижение концентрации свободных электронов, но не приводят к росту концентрации сзободных дырок даже тогда, когда совсем нет свободных электронов, так что CdS с проводимостью р-типа является изолятором. Это означает, что акцепторные уровни, обусловленные ионами Ag -, а также избыточной серой, лежат на большом удалении от валентной зоны. Интересная особенность CdS заключается в том, что это вещество не обнаруживает такой же симметрии в поведении электродов и дырок, как это было у PbS. Крегер, Винк и Фольгер установили, что подвижность электронов, возрастает от 210сж2 / в-сек при комнатной температуре до максимальной величины, равной 3000 см2 / в-сек, при 40 К. Ниже этой температуры она снова падает, вероятнее всего вследствие рассеяния электронов на примесях. [17]