Cтраница 3
Излучат, рекомбинация в С. Переход электрона с сохранением квазиимпульса характеризуется высокой вероятностью и является излучатель-ным. Длина волны излучения в максимуме спектральной полосы определяется шириной запрещенной зоны fa по примерному соотношению Я. [31]
При этом как при поглощении, так и при испускании фонона имеют место законы сохранения квазиимпульса и энергии. [32]
В работах [382, 384] появление дополнительных линий объясняется на основе теории Рамана динамики кристаллической решетки. Эти линии связываются с рассеянием на дополнительных степенях свободы суперъячейки Рамана. Следует отметить, что появление дополнительных линий может быть объяснено и на основе теории Борна - как результат нарушения закона сохранения квазиимпульса вследствие неоднородностей кристаллической решетки. [33]
Закон сохранения квазиимпульса требует участия фононов в решеточном поглощении. Действительно, поглощаться могут только такие фотоны, импульс которых равен квазиимпульсу фононов. Импульс фотона h / K пренебрежимо мал по сравнению с квазиимпульсом фонона, который может достигать значения h / a. Закон сохранения квазиимпульса выполняется только в случае, если испущены два или более фонона. Все это приводит к весьма сложной структуре спектра решеточного поглощения. [34]
![]() |
Прямые ( / и непрямые ( 2 межзонные переходы.| Спектр поглощения германия ( при комнатной температуре. [35] |
На рис. 12.1 изображена зонная структура для полупроводника, у которого минимуму энергии в зоне проводимости и максимуму энергии в валентной зоне соответствуют различные значения волнового вектора. В этом случае прямые оптические переходы уже не связаны с минимальным значением энергии фотона для переходов электронов из валентной зоны в зону проводимости. Для осуществления непрямого оптического перехода электрона из валентной зоны в зону проводимости, обозначенного на рис. 12.1 стрелкой 2, необходима энергия меньшая, чем для прямого перехода. Переход 2 происходит без сохранения квазиимпульса электрона. В соответствии с законом сохранения импульса, решетке необходимо компенсировать изменение импульса. Это достигается путем поглощения или испускания фонона. [36]