Cтраница 2
По аналогии со схемой РУ на регистрах с перекрестными связями в данной схеме необходимо применить для дешифрации уровней двухвходовые вентили. Это объясняется тем, что в каждом такте сдвига будет обеспечено новое единственное сочетание состояний 1 и 0 в двух соседних разрядах схемы. Схема требует четыре вентиля на канал. [16]
Дополнительные исследования показали, что в интервалах концентраций от 0 до 0 007 % асфальтены находятся в бензоле в истинном растворе. Увеличение их концентрации более 0 007 % приводит к тому, что устойчивость системы нарушается. Такие состояния системы или сочетание состояний, по-видимому, оказывают не одинаковое влияние на условия кристаллизации парафина из раствора, что и обуславливает сложность ( скачкообразность) ее изменения. [17]
Вследствие единой системы контроля и обслуживания измерительных устройств их отдельные состояния являются взаимозависимыми. Поэтому вероятности сочетаний состояний не могут быть подсчитаны простым перемножением вероятностей состояний отдельных измерительных устройств. Построение и решение графа сочетаний состояний достаточно сложно и громоздко вследствие большого числа состояний и наличия зависимостей между состояниями. [18]
Разность потенциалов на разрядных шинах устанавливается приблизительно равной разности потенциалов между базами п-р - n - транзисторов ЭЩ. Ток, вытекающий при этом из одного из управляющих коллекторов ЭПг3 - складывается из входного тока усилителя считывания и разрядных паразитных токов, втекающих в управляющие коллекторы включенных п-р-л-транзисторов ЭП / - го столбца. Разрушение информации при считывании наиболее вероятно при таком сочетании состояний ЭП ( табл. 6.7), которое противоположно наихудшему сочетанию состояний ЭП / - го столбца для записи. [19]
Разность потенциалов на разрядных шинах устанавливается приблизительно равной разности потенциалов между базами п-р - n - транзисторов ЭЩ. Ток, вытекающий при этом из одного из управляющих коллекторов ЭПг3 - складывается из входного тока усилителя считывания и разрядных паразитных токов, втекающих в управляющие коллекторы включенных п-р-л-транзисторов ЭП / - го столбца. Разрушение информации при считывании наиболее вероятно при таком сочетании состояний ЭП ( табл. 6.7), которое противоположно наихудшему сочетанию состояний ЭП / - го столбца для записи. [20]
Триггеры Тр - Тр образуют счетную схему единиц. Таким образом, при поступлении на вход счетной схемы переключающих импульсов состояние триггеров соответственно изменяется, образуя 5 2 возможных комбинаций ( сочетаний состояний триггеров), где п-келичество триггеров в схеме. [21]
В учебном процессе приходится иметь дело с различными проявлениями памяти. Сюда относятся уровни памяти, главным образом опознающий и воспроизводящий. Виды памяти характеризуют ее прочность и надежность, к ним относятся: долговременная, кратковременная, оперативная, произвольная. Большую роль в учебном процессе играют виды памяти по рецеп-торным признакам: зрительная, слуховая, моторная и др. Имеются взгляды, что кратковременная память обусловливается своего рода реверберацией, а долговременная - некоторым резонансом нейронных колебаний, сочетанием настоящих состояний мозга с прошлыми состояниями. [22]