Cтраница 1
Спад коэффициента передачи в области больших и малых токов приводит к наличию максимума на кривой а, который имеет место при некотором небольшом токе. Этот ток обычно близок к рекоменду-гмому в качестве номинального. [1]
Спад коэффициента передачи в области больших и малых токов приводит к наличию максимума на кривой а, который имеет место при некотором небольшом токе. Этот ток обычно близок к рекомендуемому в качестве номинального. [2]
На высоких частотах спад коэффициента передачи напряжения в основном определяется частотными свойствами и емкостью коллекторного перехода Ск транзистора. [3]
![]() |
Частотные характеристики усилителя с низкочастотной коррекцией при заданном Кфк и разных Сфк. СфЛСфкйСфКЗ. [4] |
Сущность рассматриваемой схемы коррекции заключается в том, что спад коэффициента передачи v компенсируется подъемом коэффициента усиления Ка. При достаточно большом Rфк подъем Ка может быть настолько велик, что результирующая частотная характеристика будет иметь подъем в области нижних частот. [5]
Задача расчета стабилизатора на устойчивость сводится к такому формированию спада коэффициента передачи в критической области частот 0 - f - coc, чтобы выполнялось это условие. Кроме того, вид частотной характеристики в критической области определяет поведение стабилизатора во время переходных процессов. Поэтому показатели качества переходного процесса налагают дополнительные требования на частотные характеристики разомкнутой системы в критической области. [6]
Во многих вещательных устройствах величину амплитудно-частотных искажений, проявляющихся как спад коэффициента передачи на крайних частотах, сводят к нормированному значению рациональным построением электрической схемы, выбором величин ее элементов и режима работы, применением отрицательной обратной связи. [7]
![]() |
Блок-схема умножителя частоты. [8] |
Комбинация этих двух характеристик дает показанную на рисунке характеристику контура. До тех пор пока спад коэффициента передачи контура будет составлять 6 дБ / октава ( в области единичного коэффициента передачи), контур будет устойчив. Дальше вы увидите, как это делается. [9]
![]() |
Нормированные частотные характеристики. [10] |
Затем ошибка монотонно растет до максимума при частоте среза. Кроме того, избирательность-крутизна спада коэффициента передачи вне полосы пропускания получается недостаточной. [11]
Авторы, в работах которых рассматривался эффект концентрации тока к краю эмиттера, исходили из предположения о том, что коэффициент инжекции в структуре сохраняется достаточно высоким. Работ, в которых одновременно с эффектом концентрации эмиттерного тока рассматривался бы спад коэффициента передачи тока, насколько нам известно, не имеется. [12]
Это усиление на несколько порядков превышает усиление обычных транзисторов в микрорежиме. Такие транзисторы работают вблизи от режима прокола базы. Вероятно, это происходит потому, что имеется большая разница между отпирающим напряжением по переходу эмиттер - база в центре ( вблизи от перехода коллектор - база) и возле поверхности. Большое различие этих напряжений приводит к уменьшению рабочего тока, при котором происходит спад коэффициента передачи. [13]
Теперь рассмотрим процессы, происходящие при протекании прямого тока через транзистор. Прежде всего интересен так называемый режим больших токов, когда концентрация инжектируемых эмиттером дырок становится сравнимой с равновесной концентрацией электронов в базовой области. При этом используется термин - высокий уровень ин-жекции, всегда характерный для силовых структур. Особенностью данного режима является возникновение электрического поля в области базового слоя. С одной стороны, это приводит к уменьшению сопротивления базового слоя и, следовательно, к уменьшению коэффициента ин-жекции, с другой - повышается скорость перемещения носителей через базу, что увеличивает коэффициент переноса. Так как коэффициент передачи тока транзистора от эмиттера к коллектору а является произведением двух упомянутых величин, их противоположное воздействие приводит к появлению точки максимума а при увеличении рабочего тока транзистора с тенденцией заметного уменьшения в области больших токов. Таким образом, спад коэффициентов передачи токов определяет предельно допустимый ток биполярного транзистора. Значение р в режиме больших токов составляет для силовых транзисторов всего несколько единиц, что требует значительных затрат мощности управляющего сигнала для поддержания открытого состояния ключа. [14]