Спайсер

Cтраница 2

Подробнее этот вопрос будет рассмотрен в гл. Обоснованность предположений Спайсера подробно анализировалась в работе [12], особенно применительно к металлам и для энергий возбуждения до нескольких электронвольт над порогом фотоэмиссии. Применимость модели Спайсера для более высоких энергий возбуждения ( 10 - 50 эВ над порогом) не вызывает сомнений. Помимо этого, если разрешающая способность, достигаемая в эксперименте, не превышает ширины зоны, сохранение k просто невозможно доказать. [16]

Изображение закрученного поля, образующего магнитную сводчатую структуру. в таких структурах происходят двухленточные вспышки в Н. [17]

Спайсер [199, 200] и Колгейт [41] продвинулись еще дальше, предположив, что закрученные жгуты силовых линий подходящего размера и с достаточным полем могут сами вызывать вспышки. Спайсер утверждает, что резистивная тиринг-неустойчивость имеет вспышечный характер повсюду, где поле закручено достаточно сильно, поэтому поле быстро диссипирует во всем занятом им объеме. Эта идея связана с хорошо известным обстоятельством ( § 14.8): проекция магнитного поля Bfl) на плоскость, перпендикулярную Я. Поэтому, утверждает Спайсер, весь жгут по вержен резистивной тиринг-неустойчивости. В результате закрУ4 нал компонента поля диссипирует. Скорость диссипации М увеличиваться повышенным сопротивлением, связанным с пл ной турбулентностью, которая возбуждается сильно локали ными токами, текущими вдоль крупномасштабного закрУ4 поля. [18]

Рс располагается параллельно поверхности подложки. Исследования кривых распределения фотоэлектронов Zn - Рс по энергии показывают, что Зс. Zn дают вклад в плотность состояний валентной зоны, а сравнение данных для систем металл - Рс с данными для свободных атомов обнаруживает наличие экранирования и гибридизации в органическом соединении. Например, в системе металл - Рс повышается вероятность возбуждения из 3d - в 45-состояния по сравнению со свободным атомом металла. Аналогичным путем было обнаружено, что в системе Си - Рс число пустых 4 -состояний меньше, чем в Zn - Рс, поскольку в последней системе переходы 3d - 45 являются более сильными, чем в первой. Во многих работах по фотоэмиссии используется трехступенчатая модель Бергланда - Спайсера ( см. разд. Полезное обсуждение этой модели проведено в работе Загрубского и др. [289], в которой на примере антрацена показана необходимость учета роли структурных дефектов. [19]

Схема вакуумной установки для фотоэмиссионных измерений. 1 - - образец-эмиттер ( Е. 2 - окно из фтористого лития. 3 - вакуумная камера. 4 - металлический коллектор ( С. [20]

Рассмотрим вначале вакуумный метод, используя модельную схему, приведенную на рис. 4.2.1. Эта схема отражает лишь принцип метода, и в современных исследованиях аппаратура подобного типа почти не используется. В связи с важным значением, которое приобрели исследования фотоэмиссии, проведена большая работа по созданию аппаратуры для анализа эмитированных электронов не только по энергиям, но и по углам вылета. В качестве примера на рис. 4.2.2 показана современная фотоэмиссионная установка дисплейного типа. Этот метод дает возможность непосредственно получить структуру валентной зоны во всем энергетическом интервале, а при исследовании фотоэмиссии из внутренних электронных оболочек получить также информацию о химическом состоянии эмитирующего атома. Широко развивается использование фото-эмиссии в динамических экспериментах, в ходе которых фотоэмиссия исследуется в процессе изменения физических и химических параметров объекта. Интересным примером может служить работа Шехтмана, Лина и Спайсера [63], в которой исследовались валентные орбитали TCNQ ( см. гл. Этот вопрос рассматривается в разд. [21]

Страницы: 1 2