Спар
Cтраница 4
Теперь рассмотрим действие конденсатора Спар. Но на низкочастотном конце диапазона, когда емкость конденсатора С близка к максимальной, общая емкость конденсаторов СПос и С оказывается значительно больше емкости конденсатора Спар и он не влияет существенно на величину их общей емкости. Таким образом, сопрягающий конденсатор Спар, почти не влияя на конечную ( максимальную) емкость контура, заметно увеличивает его начальную емкость; при этом чем больше емкость конденсатора Спар, тем сильнее его влияние. Соответствующим подбором емкостей сопрягающих конденсаторов Спос и Спар можно уменьшить конечную емкость контура и одновременно увеличить его начальную емкость, добившись тем самым необходимого перекрытия по частоте. [46]
 |
Упрощенная ( пассивп. я эквивалентная схема транзистора и график, поясняющий ее работу. [47] |
Для маломощных транзисторов емкость Сбк колеблется в пределах от 2 до 100 пф, тогда как емкость СбЭ составляет обычно 30 - М50 пф. Однако, несмотря на то, что емкость эмиттерного перехода оказывается сравнительно большой, ею можно часто пренебречь из-за малости сопротивления гэ, параллельно которому она подключена. Емкость коллекторного перехода CRK является проходной емкостью транзистора и играет большую роль в схеме с общим эмиттером. Поскольку значение эквивалентной входной емкости каскада составляет Свх якв Сбз Спар / иС бк, где Спар - суммарная паразитная емкость входной цепи; Ки - коэффициент усиления каскада по напряжению. [48]
Для маломощных транзисторов емкость Сбк колеблется в пределах от 2 до 100 пф, тогда как емкость СбЭ составляет обычно 30 - М50 пф. Однако, несмотря на то, что емкость эмиттерного перехода оказывается сравнительно большой, ею можно часто пренебречь из-за малости сопротивления гэ, параллельно которому она подключена. Емкость коллекторного перехода CRK является проходной емкостью транзистора и играет большую роль в схеме с общим эмиттером. Поскольку значение эквивалентной входной емкости каскада составляет Свх якв Сбз Спар / иС бк, где Спар - суммарная паразитная емкость входной цепи; Ки - коэффициент усиления каскада по напряжению. [49]
Время нарастания выходного сигнала определяется в основном частотными свойствами и схемой включения триода. Для одиночных каскадов, выполненных по схеме с общим эмиттером на сплавных высокочастотных триодах ( типа П15), время нарастания составляет около 3 мксек, а на дрейфовых триодах ( типа П403) - около 0 2 мксек. Для каскадов, выполненных по схеме с общей базой, время нарастания составляет 0 2 мксек и 0 01 мксек соответственно. Это справедливо при малых сопротивлениях нагрузки; в противном случае необходимо учитывать постоянную времени RE ( Ск Спар Свх), где Ск - емкость коллектора, Спар - паразитная емкость и Свх - входная емкость последующего каскада. [50]
Время нарастания выходного сигнала определяется в основном частотными свойствами и схемой включения триода. Для одиночных каскадов, выполненных по схеме с общим эмиттером на сплавных высокочастотных триодах ( типа П15), время нарастания составляет около 3 мксек, а на дрейфовых триодах ( типа П403) - около 0 2 мксек. Для каскадов, выполненных по схеме с общей базой, время нарастания составляет 0 2 мксек и 0 01 мксек соответственно. Это справедливо при малых сопротивлениях нагрузки; в противном случае необходимо учитывать постоянную времени RE ( Ск Спар Свх), где Ск - емкость коллектора, Спар - паразитная емкость и Свх - входная емкость последующего каскада. [51]
Страницы: 1 2 3 4