Спектр - рекомбинационное излучение
Cтраница 1
Спектр рекомбинационного излучения зависит от зонной структуры, спектра электронов и дырок, их энергетического распределения. [1]
Исследование спектра рекомбинационного излучения ПЛ в процессе генерации дает богатую информацию. [2]
Рассмотрим фэрму линии примесной излучательной рекомбинации, что важно для определения энергетического положения примесного состояния по спектрам рекомбинационного излучения. Если имеются мелкие примесные состояния, то их удобнее интерпретировать по излучательным переходам типа примесь - дальняя зона, а не примесь - ближняя зона. [3]
 |
Спектр фотолюмннисцен-ции CdS. /. - бесфононная линия связанного экситона. [4] |
Рассмотрим форму линии примесной излучательной рекомбинации, что важно для определения энергетического положения примесного состояния по спектрам рекомбинационного излучения. Если имеются мелкие примесные состояния, то их удобнее интерпретировать по излучательным переходам типа примесь-дальняя зона, а не примесь-ближняя зона. [5]
Образцы для измерения спектров отражения и поглощения зеркально полируются при механической или химико-механической обработке. Для исследования спектров рекомбинационного излучения применяются свежепротравленные или свежесколотые поверхности. Для измерения спектров поглощения очень важен вопрос о выборе толщины образца. [6]
Формула (8.118) устанавливает фундаментальную связь спектров излучения и поглощения для кристалла. Особенности в спектре поглощения должны приводить к особенностям в спектре рекомбинационного излучения. Например, если коэффициент поглощения большой для данного полупроводника, то в данной спектральной области будет интенсивная излучательная рекомбинация. Это может, например, объяснить, почему в прямозонных полупроводниках интенсивность межзонной излучательной рекомбинации гораздо выше, чем в непрямозонных. [7]
Это значение согласуется с теоретическим значением напряженности критического поля [ см. (8.46) ], при котором рассеяние на примесях разрушает щель в спектре. Следует, однако, отметить, что в некоторых работах провала в спектре рекомбинационного излучения обнаружено не было. [8]
Так как значения коэффициента поглощения для экситонных линий с малыми значениями главного квантового числа ( п 1, 2) довольно высоки, та с учетом соотношения (8.57) велика будет и интенсивность экситонных линий ( особенно с п 1) в спектре собственной излуча-тельной рекомбинации. Эксперимент, однако, показывает, что интенсивность выходящего из образца рекомбинационного излучения больше вблизи края поглощения, чем в экситонной линии. На рис. 138, б приведен спектр межзонного рекомбинационного излучения для германия. Вблизи К 1 5 мкм наблюдается экси-тонный пик излучения, интенсивность которого меньше интенсивности в собственной области. [9]
Так как значения коэффициента поглощения для экситонных линий с малыми значениями главного квантового числа ( п 1, 2) довольно высоки, та с учетом соотношения (8.57) велика будет и интенсивность экситонных линий ( особенно с п 1) в спектре собственной излуча-тельной рекомбинации. Эксперимент, однако, показывает, что интенсивность выходящего из образца рекомбинационного излучения больше вблизи края поглощения, чем в экситонной линии. На рис. 138, б приведен спектр межзонного рекомбинационного излучения для германия. Вблизи К 1 5 мкм наблюдается экси-тонный пик излучения, интенсивность которого меньше интенсивности в собственной области. [10]
При встречах свободных электронов с положительными ионами ( рис. 112) происходит рекомбинация ионов, в результате которой возникает нейтральный - атом. Избыток энергии системы свободный электрон - положительный ион может быть отдан фотону света, излучаемому при рекомбинации. Так как энергия свободного электрона до встречи с ионом могла иметь любое значение, то излучаемый фотон также может обладать любой энергией, которая превышает энергию, освобождающуюся при рекомбинации неподвижного электрона с ионом. Следовательно, спектр рекомбинационного излучения ионов получается сплошным, но имеющим резкую границу со стороны низких частот. [11]
Форму линии излучательной рекомбинации исследовали без учета электронно-дырочного взаимодействия, которое существенно изменяет край полосы поглощения. Анализ спектров рекомбина-ционного излучения с учетом экситонов и вообще электронно-дырочного взаимодействия приводит к сложной структуре полосы собственного рекомбинационного излучения. Так как значения коэффициента поглощения для экситонных линий с малыми значениями главного квантового числа ( п 1 2) довольно высоки, то с учетом соотношения (8.130) велика будет и интенсивность экситонных линий ( особенно с п 1) в спектре собственной излучательной рекомбинации. Эксперимент однако показывает, что интенсивность выходящего из образца рекомбинационного излучения больше вблизи края поглощения, чем в экситонной линии. На рис. 128, б приведен спектр межзонного рекомбинационного излучения для германия. Вблизи Я, - 1 5 мкм наблюдается экси-тонный пик излучения, интенсивность которого меньше интенсивности в собственной области. [12]
Страницы: 1