Cтраница 3
При отсутствии частотной модуляции спектр вероятностного импульса не имеет боковых всплесков. Как видно из рис. 3.5, электронное смещение частоты приводит к появлению характерных несимметричных боковых всплесков, амплитуда которых медленно уменьшается с частотой, а число - резко возрастает с увеличением глубины модуляции. [31]
Кроме того, знание спектров импульсов на входе и выходе системы передачи сигналов позволяет вводить корректирую дне устройства для исправления формы выходных импульсов. [32]
![]() |
Схема компенсационного контроля.| Схема дифференциального контроля.| Схема сравнения сигналов с ФЭУ. [33] |
Интегральный дискриминатор отрезает часть спектра импульсов, обусловленную рассеянным излучением и шумами фотоумножителя. Это также повышает чувствительность аппаратуры. Устранение рассеянного излучения необходимо также при контроле изделий сложной конфигурации с использованием заполнителей, так как спектры излучения за материалом изделия и заполнителя совпадают только в области фотопика. В случае такой дискриминации отсекается часть несущих полезную информацию импульсов, вызванных квантами, рассеянными в материале кристалла. [34]
![]() |
Структурные схемы ра-диометрцчсских дефектоскопов. [35] |
Интегральный дискриминатор отрезает часть спектра импульсов, обусловленную рассеянным излучением и шумами фотоумножителя. Это также повышает чувствительность аппаратуры. Устранение рассеянного излучения необходимо также при контроле изделий сложной конфигурации с использованием заполнителей, так как спектры излучения за материалом изделия и заполнителя совпадают только в области фотопика. [36]
![]() |
Схема компенсационного контроля.| Схема дифференциального контроля.| Схема сравнения сигналов с ФЭУ. [37] |
Интегральный дискриминатор отрезает часть спектра импульсов, обусловленную рассеянным излучением и шумами фотоумножителя. Это также повышает чувствительность аппаратуры. Устранение рассеянного излучения необходимо также при контроле изделий сложной конфигурации с использованием заполнителей, так как спектры излучения за материалом изделия и заполнителя совпадают только в области фотопика. В случае такой дискриминации отсекается часть несущих полезную информацию импульсов, вызванных квантами, рассеянными в материале кристалла. [38]
![]() |
Спектр гауссовского импульса при различных максимальных значениях фазы фтах. а - теория, б - эксперимент. [39] |
С ростом фтах в спектре импульса появляется модуляция. Кривые на рис. 2.4 о построены для не слишком больших значений фтах. [40]
![]() |
Одиночный прямоугольный импульс и его спектральная характеристика. [41] |
Одновременно с этим в спектре импульсов растет относительная величина более высокочастотных гармонических составляющих. [42]
Набор таких гармонических колебаний называют спектром импульса. Он зависит от формы и длительности импульса. [43]
![]() |
Соотношения между количеством энергии колебаний и полосой их частот для различных типов импульсов. [44] |
Суммарная энергия всех колебаний, составляющих спектр импульса, равна энергии, сосредоточенной в импульсе. Видно, например, что для прямоугольного импульса в полосе частот 0 / 2 / tK заключено примерно 95 % всей энергии импульса ( кривая /), а на остальную часть спектра приходится только 5 % энергии. [45]