Cтраница 2
Относительная интенсивность сплошного и линейчатого спектров источника определяется всей совокупностью процессов, приводящих к возбуждению этих спектров. Как правило, источники, работающие при малом давлении, обладают относительно меньшей интенсивностью сплошного спектра. Последняя, вообще говоря, увеличивается с ростом плотности тока и зависит от характера пробы, газа, заполняющего разрядный промежуток, и целого ряда других факторов. [16]
Этот способ заключается в фотографировании спектра источника света при пропускании пучка света через пламя и сравнении спектрограмм, полученных при введении в пламя раствора элемента и чистого растворителя. Микрофотометрирование спектрограмм позволяет количественно оценить величину поглощения, а следовательно, и интенсивность различных линий. В качестве источников света удобнее применять излучатели линейчатого спектра, однако, как показал Аллан [46], а затем Фассел [47], можно использовать и источники сплошного спектра. Последние обеспечивают меньшую чувствительность измерений. [17]
При большом числе линий в спектре источника эти системы интерференционных колец перекртлваются. [18]
Фокусировка обычно сводится к получению ряда спектров источника, соответствующих различным положениям деталей спектрального прибора. Фокусировка производится методом последовательных приближений, который мы поясним на примерах фокусировки конкретных приборов. [19]
Абсорбционные стеклянные фильтры селективно отсекают часть спектра источника света. На рис. 10.13 приведены кривые пропускания для ряда фильтров такого типа. [20]
Каждое из однокрасочных изображений поглощает из спектра источника освещения излучение преимущественно одной зоны спектра. [21]
Нетрудно видеть, что при получении спектра источника интерферограм-ма играет роль прозрачной дифракционной решетки. [23]
Абсорбционные стеклянные фильтры селективно отсекают часть спектра источника света. На рис. 10.13 приведены кривые пропускания для ряда фильтров такого типа. [24]
![]() |
Влияние разгрузки и повторного нагружения ( показано стрелками на тонкую структуру кривой напряжение - деформация при сжатии моно-3 27 кристалла 1ЧЬпри комнатной. [25] |
Кроме того, экспериментальный факт восстановления спектра дислокационных источников после сполировывания поверхностного слоя определенной толщины указывает еще на одно весьма интересное следствие. Поскольку обычно под спектром поверхностных источников дислокаций чаще всего подразумеваются царапины, риски, микронадрывы, трещины и пр. [26]
Эти полосы очень часто встречаются в спектрах источников, содержащих углерод. Особенно сильно развиты они в зеленой части пламени горелки Бунзена или Мекера и при разрядах с высокой плотностью тока через пары углеводорода при низких давлениях. [27]
Необходимая для измерений линия, излучаемая в спектре источника, выделяется с помощью спектрального прибора и ее интенсивность регистрируется фотоэлектрически. Величина поглощения, измеряемая в единицах оптической плотности, является мерой концентрации определяемых атомов в исследуемом объеме. [28]
В канале кюветы первичный светофильтр 7 выделяет из спектра источника возбуждения необходимую длину волны возбуждения. [29]
К - длина волны, соответствующая линии в спектре источника, находящегося в покое относительно наблюдателя. [30]