Спектр - оже-электрон
Cтраница 1
 |
Оже-спектры поверхности графита, содержащие линии К1Х - пере-ходов атомов углерода. [1] |
Спектры оже-электронов регистрируют с помощью оже-спектрометров, к-рые состоят из источника ионизирующего излучения, камеры для размещения исследуемых образцов, энергоанализатора и детектора электронов. Для детектирования электронов служат электронные умножители ( в частности, каналтроны), имеющие высокую эффективность счета низкоэнергетич. [2]
Спектр оже-электронов регистрируется на кривых распределения вторичных электронов по энергии. Интенсивность линий оже-электронов изменяется от 10 - 9 до 10 - 12 А при обычно используемых токах бомбардирующего электронного пучка в несколько десятков микроампер. [4]
Серия спектра Оже-электронов определяется типом первичной электронной вакансии, группа - типом вторичных вакансий. [5]
 |
Оже-спектр углерода.| Оже-спектр цезия ( мишень Csl. [6] |
Энергия оже-пика характеризует данный атом, поэтому анализ спектров оже-электронов позволяет получить информацию о составе приповерхностной области твердого тела, откуда происходит ЭОЭ. Средняя длина свободного пробега электронов с такими же энергиями составляет 0 5 - 2 нм, так что спектры оже-электронов отражают свойства приповерхностного слоя толщиной до пяти монослоев. Амплитуда оже-пика пропорциональна концентрации атомов данного сорта на поверхности твердого тела и эффективности оже-переходов, которая характеризуется величиной, называемой оже-чувстви-тельностью. Она определяется числом вторичных оже-электронов с данной энергией, испущенных данным элементом, в расчете на число первичных электронов и зависит от энергии первичных электронов. Анализ спектров оже-электронов лежит в основе электронной оже-спектроскопии ( ЭОС) - основного метода изучения состава поверхности твердых тел. [7]
Для легких элементов ( кроме Н и Не) спектры Оже-электронов достаточно просты, лежат в низкоэнергетической области и легко расшифровываются. Однако одновременно появляются пики, соответствующие Оже-переходам KLM, КММ и другие, которые располагаются в удобной для анализа низкоэнергетической области. [8]
Как уже отмечалось, изменения в энергетическом строении электронных оболочек атома, образующего химическую связь, отражаются на спектрах оже-электронов. [10]
На рис. 3.9 схематически показано наложение спектров настоящих вторичных электронов и оже-электронов. Число последних в 5 - 10 раз меньше, вследствие чего для выделения спектра оже-электронов необходимо дифференцировать общий энергетический спектр N ( E) и по расстояниям между пиками dN ( E) / dE оценить характеристики спектра со стченно оже-электронов. На рис. ЗЛО приведены в качестве примера интегральная и дифференциальная формы оже-электронного спектра грани ( 100) платины. [11]
Энергия оже-пика характеризует данный атом, поэтому анализ спектров оже-электронов позволяет получить информацию о составе приповерхностной области твердого тела, откуда происходит ЭОЭ. Средняя длина свободного пробега электронов с такими же энергиями составляет 0 5 - 2 нм, так что спектры оже-электронов отражают свойства приповерхностного слоя толщиной до пяти монослоев. Амплитуда оже-пика пропорциональна концентрации атомов данного сорта на поверхности твердого тела и эффективности оже-переходов, которая характеризуется величиной, называемой оже-чувстви-тельностью. Она определяется числом вторичных оже-электронов с данной энергией, испущенных данным элементом, в расчете на число первичных электронов и зависит от энергии первичных электронов. Анализ спектров оже-электронов лежит в основе электронной оже-спектроскопии ( ЭОС) - основного метода изучения состава поверхности твердых тел. [12]
 |
ИЭС от частично очищенной поверхности молибдена. [13] |
В-третьих, энергетический сдвиг трех электронных оболочек атома различен, а поскольку смещение линий оже-электронов есть суммарно-разностный эффект, невозможно точно определить энергетическое смещение каждого уровня атома. Ситуация часто осложняется тем, что изменение химического состояния атома приводит к изменению плотности электронных состояний валентной зоны атома, которая, как правило, участвует в оже-процессе. Поэтому небольшое энергетическое смещение при дифференцировании спектра оже-электронов регистрируется только как изменение формы линий оже-электронов. Таким образом, метод ЭСС, как свидетельствуют экспериментальные исследования [72, 97, 105, 137, 147], можно использовать для качественного изучения химического состояния поверхностных атомов или энергетической структуры приповерхностной области материала. [14]
Страницы: 1 2