Cтраница 3
Форма спектра отражения для кристалла толщиной 0 5 мм при разных температурах качественно показана на рис. 5.9. Участок кривой Д ( Л) в области точки перегиба аппроксимируют отрезком прямой. Далее с помощью экстраполяции находят длину волны АО, в которой отрезок прямой пересекает ось абсцисс. Эта длина волны является функцией температуры, вид которой при фиксированной толщине пластинки находят с помощью калибровки. [31]
Анализ спектров отражения показывает, что в GaSe один из минимумов зоны проводимости совпадает с вершиной валентной зоны. [32]
Исследование спектров отражения в области фундаментального поглощения является важнейшим методом изучения зонной структуры твердых тел. Энергетическое положение пиков отражения непосредственно определяет величины энергии прямых междузонных переходов в актуальных точках зоны Бриллюэна. Теоретические расчеты структуры зон по методу псевдопотенциала с использованием экспериментально найденных величин энергий важнейших переходов [1] позволили построить схемы зонных структур полупроводников групп IV, III-V во всей зоне Бриллюэна. Было показано, что полуэмпирический метод псевдопотенциала может быть применен также для расчета зонной структуры более сложных, некубических кристаллов, хотя при этом встречаются значительные трудности. В этой связи необходимо детальное экспериментальное исследование спектров отражения таких веществ. Кроме этого, сравнительное исследование спектров отражения гомологических групп кристаллов позволяет сделать некоторые выводы об особенностях зонной структуры и характере ее изменения в зависимости от химического состава, типа связи и кристаллической решетки. [33]
Обработка спектров отражения с использованием указанных соотношений широко применялась различными авторами. В работе [ И ] проводится квадратичная интерполяция функции 1п г в формуле ( 2) для вычисления фазового сдвига. Все вопросы, связанные непосредственно с вычислением фазового сдвига и оптических констант по экспериментальным данпим, подробно обсуждаются в приложении. [34]
Изменение спектров отражения поверхностных слоев стекол с 33 3 % Ка20и66 70 / 0 SiO, ( плавка 1772) в процессе кристаллизации при 826 С. [35]
Исследование спектров отражения дает наиболее полную информацию о возбужденных электронных состояниях кристалла. Как показано на рис. 6.2.1, в молекуле ЦТПТ существует система т-электронов, сильно де-локализованных вдоль ее оси. Поскольку молекула сильно вытянута в одном направлении и ее можно считать одномерной, то, расположив такие молекулы параллельно друг другу, мы вправе ожидать сильной анизотропии свойств кристалла. Элементарная ячейка кристалла ЦТПТ ( рис. 6.2.1) триклинна, содержит параллельно расположенные молекулы и действительно обладает сильно анизотропным отражением. Кристаллы ЦТПТ двуосны, тем не менее дипольный момент перехода параллелен оси молекулы ( направление N - N), и сильная анизотропия оптических свойств кристаллов обусловлена возбуждением тг - тг - перехода в первое синглетное состояние. Оптическими осями кристаллов можно считать оси молекул, и для описания их оптических свойств в видимой области спектра может быть использована одномерная модель. Сильная анизотропия оптических свойств может проявляться в появлении различной окраски при отражении света от поверхностей кристалла, по-разному ориентированных по отношению к его оптической оси. В соответствии с предложением Пеннелли и Экхарда ( 120 ] мы используем термин квазиметаллический, чтобы подчеркнуть отсутствие связи между сильным отражением и большой электропроводностью кристалла. Электропроводность требует перемещения носителей от одной молекулы к другой, в то время как высокая степень отражения может быть достигнута при взаимодействии света с электронами, принадлежащими одной молекуле. [36]
Исследование спектров отражения и пропускания стекол, содержащих 20 и 15 % К20, показало, что микроструктура этих стекол также неоднородна. [37]
Пики спектров отражения InSe при 4 4 и 3 35 эб обусловлены прямыми междузонными энергетическими переходами. Оптическая ширина запрещенной зоны InSe здесь равна 1 1 ъв. В табл. 12 приведены значения Eg InSe, полученные разными авторами. [38]
Пики спектров отражения InSe при 4 4 и 3 35 эв обусловлены прямыми междузонными энергетическими переходами. В табл. 12 приведены значения Eg InSe, полученные разными авторами. [39]
Обработка спектров отражения ВОБР методами фильтрации Простейшей системой, позволяющей выделить сигнал, отраженный от ВОБР, является полосовой оптический фильтр. [40]
Изменение спектров отражения стекла с 25 5 % Na20 в процессе его жизни иллюстрируется на рис. 11.55 - 11.57, 11.88 - 11.92. Кривые 1 - 4 на рис. 11.88 представляют собой спектры проб, взятых в различное время из расплава стекла, варившегося в столитровом кварцевом горшке, и горшкового стекла. Кривые 5 и 6 отвечают спектрам корковых частей образцов, гретых при 620 С. [41]
Тождественность спектров отражения покровов зеленых животных и листьев, среди которых они живут, делает маскировку не зависимой от цветоощущения глаза. [42]
Сходство спектров отражения природного лигнина со спектрами дегидродиизоэвгенола, производных пропиованилона и вератрона, а также u - оксиметилбензочна поддерживает представление о том, что лигнин имеет кумариновую структуру. [43]
Структура спектров отражения ромбических кристаллов Sb2S3, Sb2Se3 и Bi2S3 ( рис. 2 и 3), как уже отмечалось, весьма сходна и отличается только значениями энергии пиков отражения. Отличительной особенностью спектров отражения этих кристаллов является их поляризация и сильная температурная зависимость. Воздействие каждого из этих факторов на одни и те же пики отражения однотипно в обоих кристаллах. Все это, вместе взятое, а также изоморфизм структуры, подобие природы химической связи и физических свойств убедительно показывает, что сложная структура зон в этих кристаллах весьма сходна. [44]
Изучение спектров отражения инфракрасных лучей твердыми телами полезно не только потому, что помогает использованию этих лучей, но еще и потому, что может дать полезные сведения о природе и химическом составе самих отражающих тел. [45]