Спектр - поглощение - пленка
Cтраница 2
С целью выяснения особенностей зонного строения EuS, EuSe и сплавов состава Eui xLax - Se нами были проведены исследования спектров поглощения пленок этих веществ в интервале длин волн 0 45 - 1 00 мк при 300 К. Порошки EuS, EuSe и LaSe были Получены по методикам, описанным в работах [7], [8] и [9] соответственно. Полученные соединения имели практически стехиометрическии состав. [16]
Нри этом максимумы сенсибилизованного фотоэффекта, как обычно, смещены в сторону длинных волн на 10 - 20 им по отношению к снектру раствора, из которого производилось окрашивание ( рис. 1, 5), и заметно отличаются от спектра поглощения пленки фталоцианина цинка ( рис. 1, 4), что свидетельствует о молекулярно-дисперсном состоянии этого пигмента на поверхности ZnO. В отличие от фталоцианина цинка адсорбция на ZnO фталоцианина меди из раствора пиридина приводит к появлению в видимой области незначительного фотоэффекта, величина которого ниже чувствительности фталоцианина Си в виде сублимированного слоя. Спектральное распределение фотоэффекта после окрашивания ZnO совпадает со спектром поглощения твердого слоя пигмента, а не спектра раствора, из которого производилось окрашивание. Поэтому появление весьма слабой спектральной полосы фотоэдс на ZnO при окрашивании фталоцианином меди следует, очевидно, приписать не сенсибилизации, а собственному фотоэффекту микрокристаллов пигмента, осажденных на поверхности полупроводника. [17]
На рис. 5.3.5 представлены спектры оптического поглощения пленок, полученных при различных мощностях разряда. Спектр поглощения пленки, осажденной при мощности разряда 20 Вт, совпадает со спектром поглощения нелегированной аморфной гидрогенизировэнной пленки. [19]
 |
Таблиц 1. Библиографий 9. 366. [20] |
На основе анализа имеющихся в литературе данных по электрическим свойствам сплавов SmSe-NdSe и EuSe-LaSe предложены схемы энергетических зон указанных веществ. Приведены спектры поглощения пленок EuS, EuSe и его сплавов с LaSe, полученных термическим испарением в вакууме, а также спектры диффузного отражения порошков EuS и EuSe. На основе оптических исследований предложены схемы электронных переходов, ответственных за установленное поглощение света в приведенных полупроводниковых соединениях. [21]
Чтобы установить, имеется ли различие между пленками, сульфированными этими способами, мы сульфировали недейтериро-ванные полистирольные пленки со степенью сшивания 6 % с помощью H2SO4 при 60 С с добавлением 0 1 мол. Сопоставление спектров поглощения пленок, сульфированных хлорсульфоновой кислотой и серной кислотой, показало, что они полностью совпадают. [22]
При повышении температуры ширина запрещенной зоны для большинства полупроводников уменьшается, следовательно, граница собственного поглощения смещается в сторону длинных волн. На рис. 128 приведен спектр поглощения пленок селена при комнатной ( 1, 2, 3) и азотной ( 4, 5) температурах. Отчетливо видно, что при переходе от азотной температуры к комнатной край собственного поглощения смещается в сторону больших длин волн. [23]
Кроме того, в спектрах поглощения пленок, подвергнутых не слишком продолжительному нагреванию, наблюдается увеличение интенсивности поглощения излучения с длиной волны 5 85 мк. Это соответствует появлению свободной 2-этилгексановой кислоты в результате реакции ее солей с выделяющимся хлористым водородом. [24]
 |
Кинетика образования окра - поглощения в разные моменты. [25] |
Третий спектрометр применяется в основном для биологических исследований. На рис. 7.14 показан пример записи изменений спектров поглощения кровяной пленки, насыщаемой кислородом. [26]
Необходимость проводить подобные химические обработки связана с тем, что в области 215 - 400 ммк, в которой проводились измерения отдельными авторами 89, ацетилцеллюлоза не имеет максимумов поглощения, в отличие от смешанных эфиров, содержащих фенилоксамидные или тритиловые группы. Однако недавно советские исследователи показали10, что при измерении спектров поглощения пленок ацетилцеллюлозы и спектров диффузного отражения частично ацетилированной целлюлозы или ацетатного волокна в области 200 - 240 ммк появляется полоса поглощения с максимумом в области 208 ммк, присущая ацетильным группам. Ее интенсивность возрастает с увеличением ацетильного числа. [27]
Параметры барьера Шоттки можно более подробно изучить с помощью двух независимых методов: измерений емкости и спектров фототока короткого замыкания. Если солнечные элементы освещаются через полупрозрачный выпрямляющий электрод ( алюминий), то наблюдается сильная зависимость между фото-током и спектром поглощения пленок. И наоборот, если элементы освещать через омический электрод, то величина фото-тока обратно пропорциональна коэффициенту поглощения ме-таллфталоцианина. Это показывает, что на омическом контакте фотогенерация свободных) носителей заряда не эффективна, а фототек возникает из-за поглощения квантов света, прошедших через органический слой, на другом контакте. Однако большая часть фотонов поглощается в объеме органического материала без образования носителей заряда. [28]
 |
Изменение во времени потенциала пленки хлорофилла, нанесенной испарением из эфирного раствора, при включении и выключении света. Электролит - 2 н. КС1. [29] |
Измерения при различной освещенности пленки показали, что фотопотенциал пропорционален интенсивности поглощенного света. Освещение пленок светом различной длины волны, выделенным светофильтром и монохроматором Бекмана, показало, что спектр фотоэлектрохимического действия совпадает со спектром поглощения пленок в видимом и ближнем ультрафиолетовом участке спектра. [30]
Страницы: 1 2 3