Спектр - энергия - электрон
Cтраница 1
Спектр энергии электрона в периодическом поле имеет, запрещенные полосы вблизи k - g - g2, ширина которых равна 2 I Vg I. [1]
В результате спектр энергии электрона в кристалле приобретает вид, изображенный на рис. 47, где разрешенные полосы энергии заштрихованы. [2]
Внешнее воздействие не должно менять спектр энергии электрона в кристалле. Это накладывает ограничения на величины полей. [3]
Указать способ отделения пиков в спектре энергий электронов, относящихся к Оже-электронам, и пиков, связанных с характеристическими потерями. [4]
 |
Типичный одноэлектроппый спектр энергии металлов ( полосы заштрихованы. [5] |
В предыдущем разделе мы выяснили, что спектр энергии электрона в кристалле имеет вид полос, разделенных запрещенными областями энергии. Теория дает возможность рассчитать этот спектр. [6]
Рассмотрим влияние нестабильности параметров на энергию и ширину спектра энергий электронов. [7]
Для напоминания на рис. 244 приведена схема полосовой структуры спектра энергии электрона в металлах и изоляторах и заполнение этого спектра электронами. Для изоляторов характерно, что полосы или полностью заняты, или полностью пустые. [8]
Законы движения микрочастиц даются квантовой механикой, которая позволяет рассчитать спектр энергий электронов, если известен закон изменения их потенциальной энергии. Эти расчеты усложняются тем, что необходимо принимать во внимание также и взаимодействие электронов между собой. Точное решение такого рода задач не по силам даже современным ЭВМ и вряд ли когда-либо будет возможно в будущем. Но в этом и нет необходимости, потому что удается разработать методы приближенного решения задачи, вполне удовлетворяющие практические потребности. Важно констатировать, что спектр существует и является дискретным для электронов, заключенных в конечной области пространства. Он определяет различные свойства тела, изучая которые экспериментально можно сделать заключение об его особенностях. Следовательно, энергетический спектр может быть изучен как теоретически, так и экспериментально. [9]
Что касается зоны проводимости, то и в InSb, и в GaSb наименьшей энергии соответствует точка р О, поэтому спектр энергий электронов в этих кристаллах простой и описывается выражением (33.2), причем в и - InSb уже при сравнительно малых энергиях зависимость У, ( р) существенно неквадратичная, что формально соответствует увеличению эффективной массы т с ростом энергии. [10]
При интерпретации спектров излучения многих мощных источников обычно начинают с, так сказать, синхро-тронной гипотезы: считают, что излучение возникает при движении релятивистских электронов в магнитных полях. Концентрация и спектр энергии электронов, напряженность и направление магнитного поля при этом подбираются так, чтобы вся картина была внутренне непротиворечива, а интенсивность излучения соответствовала наблюдениям. [11]
Мы видели, что решение уравнения Шредингера приводит к ряду дискретных уровней энергий, расстояние между которыми падает с увеличением размера потенциального ящика. Поэтому для металла достаточно большого объема можно считать, что спектр энергии электронов сколь угодно близок к непрерывному. Согласно принципу Паули, на каждом уровне могут находиться два электрона с противоположными спинами. [12]
Существуют и иные методы исправления МТФ на малых расстояниях. Мы упомянем лишь о работе [52], где предлагалось ввести специальное обрезание спектра энергии электронов снизу, что ведет к резкому уменьшению плотности в окрестности ядра. Однако к настоящему времени наиболее разработанным и эффективным является метод КСМ. [13]
Основное положение здесь таково: чем больше радиусы отверстий в диафрагмах волновода, тем меньше фазовая скорость зависит от частоты. Но при больших радиусах отверстий требуется больший поток мощности для создания той же величины амплитуды ускоряющего поля. Исходя из этой работы можно сказать, что отклонение частоты ускоряющего поля должно быть на два порядка меньше, чем допустимая относительная ширина спектра энергии электронов. [14]
Однако хорошо известно, что реальные твердые тела обладают различными дефектами. Рассмотрим, как это влияет на энергетический спектр электронов в реальных кристаллах. Наиболее типичным видом дефектов в полупроводниках являются примеси, введение которых существенно влияет на движение электронов в кристалле, возмущая спектр энергии электрона. [15]
Страницы: 1 2