Рентгеноэлектронная спектроскопия

Cтраница 1

Рентгеноэлектронная спектроскопия сверхтонких поверхностных слоев конденсированных систем. [1]

Рентгеноэлектронная спектроскопия может служить не только для качественного, но и для количественного элементного анализа органических соединений. Однако использование абсолютных значений интенсивностей в количественном органическом анализе не представляется достаточно надежным, тогда как относительные интенсивности позволяют сравнивать содержание данной функциональной группы или атомной группировки в различных образцах или даже внутри одной молекулы, если они находятся в различном структурном положении. [2]

Рентгеноэлектронная спектроскопия может служить не только для качественного, но и для количественного элементного анализа органических соединений. Интенсивности полос поглощения в инфракрасном спектре находятся в прямой зависимости от числа функциональных групп или отдельных связей, отвечающих этим полосам. Однако использование абсолютных значений интенсивностей в количественном органическом анализе не представляется достаточно надежным, тогда как относительные интенсивности позволяют сравнивать-содержание данной функциональной группы или атомной группировки в различных образцах или даже внутри одной молекулы, если: они находятся в различном структурном положении. [3]

Рентгеноэлектронная спектроскопия, вероятно, наиболее удобный из появившихся за последние 10 лет метод идентификации элементов. Он позволяет обнаружить практически все элементы, присутствующие в исследуемом образце, оценить их атомные соотношения, установить, находятся ли атомы данного элемента в эквивалентных положениях, и определить степени их окисления в молекуле. [4]

Рентгеноэлектронная спектроскопия по своим физическим основам идентична фотоэлектронной спектроскопии. Основное различие этих методов заключается в том, что для возбуждения спектров в рентгеноэлектронной спектроскопии применяются кванты гораздо большей энергии ( обычно А1 / Са: : 1486 6 зв; Mg Ka: 1253 6 эв), чем в фотоэлектронной спектроскопии. Это накладывает ряд специфичных условий как на конструирование приборов, так и на области применения. Однако следует отметить, что в настоящее время наблюдает ся практически полное слияние двух методов - во многих серийных и лабораторных приборах предусмотрено возбуждение спектра как с помощью ультрафиолетового, так и с помощью рентгеновского источника - и переход от одного метода к другому достигается лишь сменой источника. [5]

Рентгеноэлектронная спектроскопия широко применяется для исследования микровключений в поверхностных слоях материала. Этим методом может быть исследован слой вещества толщиной 2 - 3 нм и более глубокие слои поверхности при последовательном удалении ( травлении) ионными пучками отдельных слоев. При этом используется поток ионов Аг или Кг с энергией до нескольких килоэлектронвольт. [6]

Способность метода рентгеноэлектронной спектроскопии обнаруживать различие между заряженными и незаряженными донорными и акцепторными молекулами в кристаллической решетке, продемонстрированная выше на примере аддукта между хлоранилом и TMPD, была использована для изучения переноса заряда в органических проводниках. [7]

Схема рентгенэлект-ронного спектрометра.| Схема электронного анализатора электростатического типа. [8]

Рентгеновская фотоэлектронная или рентгеноэлектронная спектроскопия основана на измерении кинетической энергии фотоэлектронов, испускаемых веществом под действием квантов рентгеновского излучения с известной энергией. [9]

Уже с появлением первых работ по рентгеноэлектронной спектроскопии было обнаружено, что положительный химический сдвиг рентгеноэлектронной линии элемента в соединении имеет тенденцию к росту с увеличением формальной положительной степени окисления. [10]

Реальную пов-сть анализируют методами оже-спект-роскопии, рентгеноэлектронной спектроскопии, спектроскопии рассеяния медленных ионов ( см. Ионного рассеяния спектроскопия), масс-спектрометрии вторичных ионов в статич. Обычно анализ проводят в высоком вакууме ( 10 - 7 - 10 - 8 Па) с помощью установок, позволяющих одновременно использовать неск. В тех же установках проводят разрушающий послойный анализ субмикронных и поверхностных слоев, удаляя слои ионным травлением, лазером, искровым разрядом, хим. или электрохим. Затем определяют элементы в газовой фазе, р-ре или на протравленной пов-сти. [11]

Из исследований этих авторов можно заключить, что рентгеноэлектронная спектроскопия является действенным методом изучения электронного строения разнообразных донорно-акцепторных систем. [12]

Следует заметить, что в последние годы метод рентгеноэлектронной спектроскопии все чаще применяется к комплексным соединениям, а интерпретация его результатов проводится квантовохимическими методами. [13]

Для определения степени полярности связи используют также метод рентгеноэлектронной спектроскопии, при помощи которого измеряют энергию связи остовных электронов с ядром атома в молекуле. [14]

Квантово-химические расчеты и экспериментальные данные, полученные методами фотоэлектронной и рентгеноэлектронной спектроскопии, свидетельствуют, что верхней заполненной орбиталью ацето-нитрила CH3CssN является я-молекулярная орбиталь, а орбиталь, заполненная неподеленной электронной парой, расположена ниже. В бензонитриле CeH5CN самыми высокими по энергии являются я-орбитали фенильного кольца. Несмотря на это, нитрильные комплексы с металлами образуются не за счет я-молекулярной орбитали, а за счет неподеленной электронной пары атома азота. [15]

Страницы: 1 2 3