Cтраница 1
Специфика технологии изготовления секционированной индукционной обмотки заключается в том, что укладка провода в отдельные секции происходит при различном направлении вращения шпинделя намоточного станка. Независимо от того, в каком порядке заполняются секции, при укладке провода в нечетные секции шпиндель должен вращаться в одну и ту же сторону, а при укладке в четные секции шпинделю дается вращение в обратную сторону. [1]
Специфика технологии изготовления полупроводниковых интегральных микросхем, ее групповой характер не позволяют полностью применить традиционные методы разработки электронных схем. Кроме того, между элементами микросхемы всегда существует взаимосвязь, обусловленная их ( взаимодействием и паразитными эффектами, присущими полупроводаиковым микросхемам, что в конечном итоге определяется структурой микросхемы и технологией ее изготовления. Поэтому при разработке микросхем главную роль ВГраеТ ТШ ОЛОГНЧеШЙ М6ТВД ИХ ИЗГОТОШШЯ, Поскольку возможности технологии, технологические данные и ограничения наряду с электрическими, конструктивными и эксплуатационными показателями являются исходными при проектировании. [2]
К сожалению, недостаточный объем книги не позволил ознакомить читателя со спецификой технологии изготовления валковых машин, что является очень важным при их конструировании. По этой же причине данные о зарубежных конструкциях приведены в очень сжатой форме, в основном в виде табличных данных. [3]
Как правило, на практике используют сочетание методов, а также учитывают специфику технологии изготовления схем, что приводит к большому многообразию как постановок задач, так и программных реализаций, имеющих достаточно сложный характер. [4]
Поскольку существует много различных типов логических схем, целесообразность использования того или иного типа необходимо увязывать со спецификой технологии изготовления интегральных схем, хотя в принципе в интегральной форме можно изготовить большинство из этих типов. [5]
Поскольку существует много различных типов логических элементов, целесобразность использования того или иного типа необходимо увязывать со спецификой технологии изготовления интегральных микросхем, хотя в принципе в интегральном виде можно изготовить большинство из этих типов. [6]
Характер распределения и уровень упругопластических деформаций зависят не только от условий эксплуатации ( размаха перемещений торцов сильфона, температуры, режима нагружения), но и от конструктивных параметров оболочки ( толщины стенки, высоты и радиуса кривизны гофра и др.) сильфонного компенсатора, причем последние вследствие специфики технологии изготовления гофрированной оболочки могут значительно отличаться от номинальных. Так, толщина оболочки сильфона заметно изменяется по контуру гофра: у основания гофра она максимальна, у вершины - минимальна. Например, для компенсатора Dy40 в цилиндрической части сильфона толщина постоянна и равна исходной толщине заготовки, в вершине гофра она примерно на 20 % меньше, чем у основания. [7]
Характер распределения и уровень упругопластических деформаций зависят не только от условий эксплуатации ( размаха перемещений торцов сильфона, температуры, режима нагружения), но и от конструктивных параметров оболочки ( толщины стенки, высоты и радиуса кривизны гофра и др.) сильфонного компенсатора, причем последние вследствие специфики технологии изготовления гофрированной оболочки могут значительно отличаться от номинальных. Так, толщина оболочки сильфона заметно изменяется по контуру гофра: у основания гофра она максимальна, у вершины - минимальна. Например, для компенсатора /) у40 в цилиндрической части сильфона толщина постоянна и равна исходной толщине заготовки, в вершине гофра она примерно на 20 % меньше, чем у основания. [8]
Основные области применения ИП [35, 40, 41, 79, 673] определяются как свойствами этих материалов - высокими удельной прочностью и жесткостью, так и особенностями морфологии - наличием плотной поверхности корки. Немаловажное значение имеет и специфика технологии изготовления данных материалов, позволяющая выпускать изделия высокой размерной точности, не требующие дальнейшей обработки. [9]
Методы проектирования компонентов и схем на дискретных компонентах развивались практически независимо, и их применение при разработке ИС оказалось малоэффективным. В качестве примера можно указать на более широкое использование в схемах на дискретных компонентах пассивных компонентов по сравнению с активными, что объясняется их лучшими технико-экономическими показателями. При использовании ИС технико-экономические показатели компонентов становятся одинаковыми, а в ряде случаев увеличение количества активных компонентов в схеме по сравнению с пассивными становится более выгодным. Поэтому технология изготовления ИС открывает новые потенциальные возможности в схемотехнике. Специфика технологии изготовления ИС приводит к необходимости учитывать следующие основные факторы: в составе монолитной ИС трудно изготовить большие емкости и индуктивности; для сокращения площади, занимаемой схемой, необходимо свести к минимуму сумму всех сопротивлений и емкостей схемы; параметры компонентов и допуска на параметры внутри каждой схемы, возникающие за счет технологических разбросов, взаимосвязаны; в схемах с изоляцией компонентов, осуществляемой при помощи р-п-переходов, возникают паразитные емкости на подложку, поэтому для улучшения динамических характеристик схему необходимо так конструировать, чтобы в узлах со значительными паразитными емкостями перепады напряжения были минимальны; в схемах с изоляцией p - n - переходами имеют место четырехслойные п-р-п-р - структуры, которые могут нарушить работу схемы при неправильном их включении. [10]