Cтраница 1
Спин-флоп ( поворот векторов / и m в пл. [1]
Прежде всего, оказывается, что спин-флоп переход из состояния I Z происходит как ФП первого рода в пределах некоторого критического угла фсп составляемого Н с осью Z: ф фсг. [2]
Это относится и к точке Морина TM - точке спин-флопа ( перехода между СФ и АФ состояниями) по температуре. [3]
Интересным результатом эксперимента является установление того факта, что для MnF2 спин-флоп как ФП первого рода наблюдается лишь при условии, что угол OH -, на который поле Н отклоняется от оси Z, достаточно мал. [4]
Было показано, что при некоторых значениях параметров ориентационный ФП типа спин-флопа может происходить и как ФП первого рода. [5]
Z, не входит Хц, так что МЭ сдвиг поля спин-флопа в (7.49) не идет в нуль при Т - ОК. К сожалению, снова нам не известен эксперимент по этому поводу. [6]
Следует обратить внимание, что при достаточно больших полях Н Y может в принципе произойти ФП типа спин-флопа ( пп. [7]
Первое из этих состояний реализуется уже при Н 0, а второе возникает во внешнем поле Н X, когда заканчивается ФП типа спин-флопа - вращения вектора / в пл. [8]
Из состояния ЛО ниже Тм имеется спин-флоп переход в состояние с / L Z, вызванный полем Н ls Z. Речь идет, конечно, о полях (8.18) (8.19), преодолевающих базисную анизотропию. [9]
Переходя к влиянию МЭ взаимодействия на кривые намагниченности при Н Ls Z, из (7.55) видим, что такое влияние отсутствует при Е Z, поскольку слагаемых вида (5.61) здесь нет. Поэтому и формулы для начальной восприимчивости (7.48) и поля спин-флопа (7.49), полученные для структуры Ъ ( табл. 3.1 или 7.1), справедливы и здесь. Следует, однако, заметить, что переход типа спин-флоп при очень большой магнитной анизотропии ( см. (7.54)) может вообще отсутствовать, как это имеет место для DyPO4, а возможно и для некоторых других РЗ фосфатов и ванадатов. Поэтому сказанное выше о влиянии МЭ взаимодействия на поле спин-флопа из перечисленных пяти соединений с ОМС 1 ( -) 4Z ( -) 2 (), вернее всего, относится лишь к GdVO4, для которого основное состояние иона Gd3 является S-состоянием. [10]
Заметим, далее, что выше описана лишь весьма приближенная схема ОФП типа спин-флоп и типа спин-флип. В действительности, ситуация может оказаться более сложной и будет рассмотрена в соответствующих местах для конкретных антиферромагнетиков. В частности, спин-флоп может осуществляться как в виде ОФП первого рода ( с соответствующим гистерезисом), так и в виде двух ФП второго рода [ 1.4, гл. [11]
Из этих выражений видны два важных следствия. Это нередко ( см. ниже) забрасывает частоту АФМР в область субмиллиметровых длин волн. Во-вторых, одна из частот АФМР в (11.50) при Н л / 2Я Я обращается в нуль, что указывает на потерю устойчивости рассматриваемого основного состояния с / о Z. Нетрудно связать это с ориентационным фазовым переходом типа спин-флопа ( см. гл. Следует, однако, заметить, что проведенное выше рассмотрение фактически было основано на равномодульной модели, не учитывающей х Ф 0 анизотропии - фактора, а также констант магнитной анизотропии более высокого порядка. Уточнения в этих отношениях в некоторых случаях могут заметно повлиять на частоты АФМР. [12]
Переходя к влиянию МЭ взаимодействия на кривые намагниченности при Н Ls Z, из (7.55) видим, что такое влияние отсутствует при Е Z, поскольку слагаемых вида (5.61) здесь нет. Поэтому и формулы для начальной восприимчивости (7.48) и поля спин-флопа (7.49), полученные для структуры Ъ ( табл. 3.1 или 7.1), справедливы и здесь. Следует, однако, заметить, что переход типа спин-флоп при очень большой магнитной анизотропии ( см. (7.54)) может вообще отсутствовать, как это имеет место для DyPO4, а возможно и для некоторых других РЗ фосфатов и ванадатов. Поэтому сказанное выше о влиянии МЭ взаимодействия на поле спин-флопа из перечисленных пяти соединений с ОМС 1 ( -) 4Z ( -) 2 (), вернее всего, относится лишь к GdVO4, для которого основное состояние иона Gd3 является S-состоянием. [13]
Следовательно, фазовый переход через линию а - а2 на рис. 19.11 является разрывным или фазовым переходом первого рода. Точка В, где встречаются все линии, есть критическая точка двухмодового лазера. Фазовая диаграмма в окрестности точки В будет аналогична диаграмме для слабо анизотропного антиферромагнетика ( Agarwal and Dattagupta, 1982), если два параметра накачки ai, a2, характеризующие состояние системы, заменить приложенным магнитным полем и температурой. Парамагнитная фаза отделена от антиферромагнитной фазы и от так называемой спин-флоп фазы линиями фазового перехода второго рода, тогда как антиферромагнитная и спин-флоп фазы разделяются линией фазового перехода первого рода. [14]
Следовательно, фазовый переход через линию а - а2 на рис. 19.11 является разрывным или фазовым переходом первого рода. Точка В, где встречаются все линии, есть критическая точка двухмодового лазера. Фазовая диаграмма в окрестности точки В будет аналогична диаграмме для слабо анизотропного антиферромагнетика ( Agarwal and Dattagupta, 1982), если два параметра накачки ai, a2, характеризующие состояние системы, заменить приложенным магнитным полем и температурой. Парамагнитная фаза отделена от антиферромагнитной фазы и от так называемой спин-флоп фазы линиями фазового перехода второго рода, тогда как антиферромагнитная и спин-флоп фазы разделяются линией фазового перехода первого рода. [15]