Стеклообразный полупроводниковый сплав

Cтраница 1

Стеклообразные полупроводниковые сплавы, как и другие твердые тела, под действием силы, вызывающей упругую деформацию, изменяют форму и возвращаются к первоначальной форме при снятии напряжения. [1]

Среди стеклообразных полупроводниковых сплавов большую группу составляют оксидные полупроводники, в которые обязательно входят оксиды переходных металлов, способные находиться в сплаве в разновалентном состоянии. [2]

Скорость растворения стеклообразных полупроводниковых сплавов, связь между атомами в которых в основном ковалент-ная, определяется гетерогенной химической реакцией на поверхности стекла и не зависит от влияния процесса диффузии. Об этом свидетельствуют высокие значения энергии активации растворения и отсутствие влияния перемешивания на скорость растворения. [3]

Важнейшей структурной чертой стеклообразных полупроводниковых сплавов, как и стекол всех других классов, является их полимерное строение. [4]

Глубокое изучение и широкое практическое использование стеклообразных полупроводниковых сплавов невозможно без анализа стеклообразного состояния, без выявления его главных особенностей и отличий от других видов конденсированного состояния: жидкости, кристаллического состояния, некристаллических разновидностей твердого состояния, не являющихся стеклом. [5]

Из приведенных данных видно, что часть стеклообразных полупроводниковых сплавов можно отнести к полупроводникам, тогда как другую - к типичным диэлектрикам. Впрочем, с позиции зонной теории твердых тел, между ними нет принципиальной качественной разницы - механизм проводимости полупроводников и диэлектриков одинаков. [6]

Выше частично уже были рассмотрены некоторые свойства стеклообразных полупроводниковых сплавов. Анализ свойств проводили с помощью основной формулы физико-химического анализа, формулы Курнакова-Тананаева [27]: состав, структура, дисперсность - свойство. [7]

Обобщены данные по широкому спектру исследований практически всех известных подклассов стеклообразных полупроводниковых сплавов: халькогенидных, оксидных, сплавов систем А - В - с и др. Проанализированы существующие концепции стекло-образования. Выявлены периодические закономерности стеклообразования, осуществлен прогноз и поиск новых халькогенидных стеклообразующих систем. Рассмотрены методы получения, структура, и широкий комплекс физико-химических свойств стеклообразных полупроводников. Описаны области применения и перспективы развития производства полупроводниковых сплавов из стекла. [8]

Классификация полупроводниковых расплавов по структурным признакам [ 14, с. 159. 399 ]. [9]

Данный признак не может быть положен в основу классификации структур многокомпонентных стеклообразных полупроводниковых сплавов, особенно важных в промышленной практике, классифицировать же по этому признаку мизерную часть полупроводниковых стекол - стехиометрические составы - не имеет смысла. [10]

Существующее положение является тормозом для углубленного понимания физико-химических и структурных особенностей стеклообразных полупроводниковых сплавов и ряда различных аморфных материалов: порошков, пленок ( германия, кремния и других полупроводников), стеклообразных металлических сплавов и пр. [11]

Мы подробно останавливаемся на айализе оксидов потому, что многие из них могут входить в состав стеклообразных полупроводниковых сплавов, а оксиды переходных элементов, такие, как, например, V205 ( в сочетании с V02), W03, Мо03, оксиды меди, хрома, железа, титана и др. являются в этих сплавах носителями полупроводниковых свойств. [12]

Схема установки катодного распыления. [13]

Стеклообразные сплавы подобно кристаллическим могут быть диэлектриками, полупроводниками, металлами и, в отдельных случаях при низких температурах, сверхпроводниками. В настоящей главе рассмотрена зонная структура и дефекты стеклообразных полупроводниковых сплавов на примере халькогенидных стеклообразных полупроводников, для которых теория данного вопроса разработана наиболее глубоко. [14]

Изотермы стекол системы As - Se. [15]

Страницы: 1 2