Cтраница 1
Простейший способ учета этих явлений - делать соответствующие измерения или их серии через некоторые промежутки времени и затем усреднять их. [1]
Простейший способ учета KB на практике заключается в том, чтобы вычислить орбитали и их энергии, а затем, заселяя их электронами, образовать различные конфигурации. Основное состояние соответствует конфигурации с наименьшей энергией. Далее искомая волновая функция молекулы выражается в виде линейной комбинации этих конфигураций ( отбор необходимых конфигураций осуществляется с учетом их симметрии), после чего вариационным методом определяют наилучшую смесь конфигураций. Лучшей, но намного более сложной процедурой является многоконфигурационный расчет, в котором сначала вычисляется наилучшая структура отдельно для каждой конфигурации ( без использования принципа заполнения единой системы уровней), а затем к этим оптимизированным конфигурация. [2]
Здесь приводится простейший способ учета изменения свойств реального газа при изменении давления и температуры. В сложных термобарических условиях, при фильтрации многокомпонентных газов следует пользоваться более усовершенствованными уравнениями состояния. [3]
Здесь был приведен простейший способ учета изменения свойств реального газа при изменении давления и температуры. В сложных термобарических условиях, при фильтрации многокомпонентных газов следует пользоваться более совершенными уравнениями состояния. [4]
Учет собственного объема молекул и представление о молекулах в виде шариков, центры которых могут сближаться только до расстояния, равного их диаметру, по существу е сть простейший способ учета сил отталкивания между молекулами. [5]
Простейший способ учета эффекта, оказываемого опционами на ценность акции, состоит в том, чтобы разделить ценность чистых активов на количество акций, которые будут существовать, если все опционы окажутся исполненными сегодня. Короче говоря, мы делим на полностью разводненное количество акций. Хотя этот подход и привлекает своей простотой, он может привести к слишком низкой ценности акции по двум причинам. [6]
Для этих состояний приближение идеального газа несправедливо, и их нельзя описать слабо взаимодействующими квазичастицами. Проблема учета таких состояний для задач физики плазмы в настоящее время далека от строго решения. Простейший способ учета этих состояний состоит в оценке доли таких состояний и, в случае их малости или малости их вклада в исследуемый процесс, полном пренебрежении этими состояниями. В частности, при расчете сечений фотопоглощения и излучательной способности плазмы при ЛТР, в силу относительно низкой плотности энергии излучения в области энергий квантов v Т, влияние высоко возбужденных состояний ионов на интегральную интенсивность радиационных процессов в плазме не велико. Именно поэтому во многих задачах РГД и НРГД не требуется строгой теории неидеальной плазмы для описания высоковозбужденных состояний и достаточно грубых качественных моделей для описания таких состояний. Конечно для величин, для которых взаимодействие состояний вблизи границы дискретного и непрерывного спектра существенно, например, для проводимости плазмы или для уравнения состояния, требуется развитие более сложных моделей. При известном из теории уширений линий контуре сечения поглощения фотонов сечение фотопоглощения для dd - переходов выражается через силы осцилляторов. [7]
Формула ( 2 - 67) выведена для одиночной трубки. В пучке горизонтальных трубок нижние ряды находятся в худшем положении, так как по ним может стекать часть конденсата с вышележащих трубок. Один из простейших способов учета этого обстоятельства-введение в формулу ( 2 - 67) вместо диаметра трубки d произведения nd, где п - число находящихся друг над другом трубок. [8]
Изложенная теория, разработанная в основном Шлеманном, позволяет очень хорошо объяснить характер резонансных кривых ферримагиетиков. Если мы захотим применить то же приближение к веществам, для которых сильное условие Кг I Ms Э Ms не выполняется, то нам необходимо как-то учесть дипольное взаимодействие. Следует также принять во внимание влияние пор и трещин, которые всегда имеются в поликристаллических образцах. Простейший способ учета этих факторов заключается в предположении. [9]
Сложной нерешенной теоретической проблемой, однако, остается проблема корректного учета сильной неидеальности плазмы, то есть влияния плазменного окружения на структуру отдельных ионов и кинетику радиационно-столкно-вительных процессов. Это влияние проявляется в двух аспектах. Во-первых, возбужденные состояния ионов с радиусами электронных орбит порядка среднего расстояния между ионами разрушаются и переходят в непрерывный спектр. Простейший способ учета неидеальности плазмы состоит в использовании модели нейтральных сферических ячеек, для которой кулоновское взаимодействие между ячейками отсутствует. В этой модели остаточное взаимодействие с плазменным окружением описывается граничными условиями на поверхности или вблизи поверхности ячеек. [10]