Иодидный способ
Cтраница 2
Из всех ЭГ наименее прочны Э1 ( на этом основан иодидный способ очистки металлов, см. разд. Так как для процесса взаимо действия оксидов с галогенами ДЯ 0 и Д5 0, то прямое вытеснение кисло, рода галогенами исключено, поэтому проводят связывание кислорода, что дае1 выигрыш в энергии, а часто и рост энтропии. [16]
Получение сверхчистых материалов - кремния, титана, гафния, циркония - также не обходится без этого элемента. Иодидный способ получения чистых металлов применяют довольно часто. [17]
Находит применение иодидный способ. [18]
Полученный SiCl4 очищают дистиллированием и восстанавливают цинком ( метод Бекетова) или водородом. Применяют также иодидный способ, при котором получают кремний с небольшим содержанием примесей. При этом способе нагревают кремний с иодом и получают тетраиодид кремния ( SiJ4), который затем очищают и разлагают путем нагревания на раскаленной танталовой ленте. В результате получается поликристаллический кремний. Для использования кремния в полупроводниковой технике его необходимо подвергнуть металлургической обработке, осуществив бестигельную зонную плавку. [19]
Находит применение иодидный способ. [20]
Находит применение иодидный способ рафинирования индия. Примеси, обладающие большим по сравнению с индием сродством к иоду, такие, как кадмий и таллий, переходят в глицериновый раствор. [21]
Во многих случаях температура определяет направление процесса. В полупроводниковой технике широко применяется иодидный способ получения чистейшего кремния ( см. гл. [22]
 |
Взаимосвязь между стандартными энтальпиями образования высших оксидов элементов IV и V групп. [23] |
Галогениды ЭГ нередко восстанавливаются водородом легче, чем оксиды ЭО, так как первый процесс сопровождается большим изменением ( увеличением) энтропии. Из всех галогенидов ЭГ наименее прочны иодиды DU ( на этом основан иодидный способ очистки металлов, см. разд. [24]
Ценным исключением из химических способов очистки является метод транспортных реакций. Транспортными называют обратимые гетерогенные реакции, при протекании которых вещество в форме, как правило, газообразного соединения способно переноситься из одной зоны реактора в другую при наличии между этими зонами разности температур или давлений. Примером метода транспортных реакций является иодидный способ очистки циркония. Порошкообразный металл нагревают в вакуумированной ампуле до 200 - 300 С вместе с кристаллами иода. [25]
Одним из способов очистки является метод транспортных реакций. Транспортными называют обратимые гетерогенные реакции, при протекании которых вещество в форме, как правило, газообразного соединения способно переноситься из одной зоны реактора в другую при наличии между этими зонами разности температур или давлений. Примером метода транспортных реакций является иодидный способ очистки циркония. Порошкообразный металл нагревают в вакуумированной ампуле до 200 - 300 С вместе с кристаллами иода. [26]
Рафинируемый материал в раздробленном состоянии помещают в кассетах около боковых стенок реактора, температуру которых поддерживают постоянной ( 100) с помощью водяного термостата. В промышленных аппаратах получают прутки титана диаметром 33 - 40 мм и весом до до 15 кг. Однако иодидный способ позволяет получить наиболее чистый металл. [27]
Рафинируемый материал в раздробленном состоянии помещают в кассетах около боковых стенок реактора, температуру которых поддерживают постоянной ( 100) с помощью водяного термостата. В промышленных аппаратах получают прутки титана диаметром 30 - 40 мм и весом до до 15 кг. Однако иодидный способ позволяет получить наиболее чистый металл. [28]
В результате металлотермического восстановления не удается получить титан высокой чистоты, требуемый для ряда областей применения. Для получения титана повышенной чистоты проводят рафинирование титана. Наиболее распространенным способом рафинирования является метод термической диссоциации галоидных соединений титана. Обычно применяют иодидный способ рафинирования. В этом случае черновой металл, подлежащий очистке, в результате взаимодействия с иодом образует иодиды. [29]
Страницы: 1 2