Обычный способ

Cтраница 2

Обычный способ создания такого контакта связан с сильным легированием тонкого полупроводникового слоя, прилегающего к металлу, обеспечивающим уменьшение толщины барьера до 10 нм. При формировании этой тонкой сильно легированной области необходимо предотвратить внедрение компенсирующих примесей или образование дефектов, которые могут уменьшить концентрацию носителей заряда. Таким образом, свойства квазиомических контактов могут существенно зависеть от особенностей метода их изготовления. [16]

Обычный способ защиты - это использование температурного датчика и терморегулятора, исполнительный элемент которого, в случае превышения пороговой температуры горячих спаев, обрывает цепь электропитания батареи. Такая защита, связанная с определенными усложнениями устройства, не всегда приемлема. Поэтому часто используют тепловой предохранитель. Для этого токоподводы размещают на горячей стороне термобатареи и к ним подпаивают выводы припоем, температура плавления которого ниже температуры плавления коммутационных припоев. Этим исключается опасность расплавления коммутационных слоев, поскольку при отпайке электрического вывода батарея обесточивается. [17]

Зависимость состава сополимера от состава исходной смеси мономеров. [18]

Обычный способ оценки г и г2 для данной пары мономеров заключается в определении состава сополимеров, образованных из нескольких мономерных смесей различного состава. [19]

Обычный способ решения таких неравенств заключается в сведении их к рациональным неравенствам. Освободиться от радикалов иногда удается путем возведения обеих частей неравенства в степень. К сожалению, эта операция часто приводит к неравенству, неравносильному исходному. Поэтому при решении иррациональных неравенств рекомендуется проявлять максимальную осторожность. Прежде всего следует огра дичиться рассмотрением только тех значений переменной, при которых обе части неравенства имеют смысл. [20]

Обычный способ кристаллизации слитков ( фиг. [21]

Обычный способ реализации с помощью параллельных цепных схем заключается в разложении числителя на составляющие, числители которых образуются последовательными парами слагаемых разложения, что приводит к трем цепным схемам. [22]

Обычный способ охлаждения осуществляется направлением струн жидкости в зону резания со стороны передней поверхности резца. [23]

Обычный способ хранения, принятый у нас на заводах, это хранение в бочках. Бочки ставят вертикально в несколько ярусов в специальном сарае. [24]

Обычный способ центрирования по цйлетдрйческам поверхностям яейрймешм, когда в системе соединяемых деталей возникают значительные тепловые деформаций. Если охватывающая деталь имеет более высокую температуру иля вынолйена та материала с более высоким коэффициентом теплового расширения, сем охватываемая деталь, то в соединении образуется зазор, нарушающий центрирование. [25]

Обычный способ написания, например, камфоры ( XXXIII) не выражает пространственного строения. Можно было бы воспользоваться несколько модифицированной формулой типа XXXIIIa, которая дает представление о пространственном строении. Однако формулу XXXIIIa трудно сравнивать с проекционными формулами ациклических соединений. Для такого сравнения удобнее всего записать формулу камфоры в таком виде, как будто мы смотрим на нее сбоку, вдоль шестичленного кольца. [26]

Обычный способ кондиционирования заключается в следующем: поступающий свежий воздух пропускают через водопоглощающее вещество ( силикагель, хлорид кальция), в результате чего уменьшается его влажность, а затем с помощью калориферов подогревается до нужной температуры. Давление воздуха в складском помещении должно быть несколько большим, чем в соседних помещениях или на улице. [27]

Обычный способ армирования ( укладка стальных стержней в растянутую зону) не предохраняет конструкцию от появления в ней трещин, так как бетон обладает весьма незначительной растяжимостью. В эти трещины проникает влага и газы, которые вызывают коррозию арматуры; кроме того, с появлением трещин увеличивается прогиб конструкции. Значит, растянутую зону нужно сжать. Это достигается предварительным напряжением арматуры. Ее растягивают на специальных машинах, а затем укладывают в бетонную смесь. Стержни сжимаются, а вместе с ними за счет сцепления сжимается и бетон. [28]

Обычный способ восстановления - термический, т.е. полупроводник помещают в печь и нагревают. При этом одновременно с отжигом происходит диффузия имплантированных ионов в глубь кристалла, что нарушает условия технологии. Например, при легировании полупроводников толщина слоя составляет, как правило, меньше 0 1 мкм, а при термическом отжиге за время 20 40 мкс при температуре около 1000 К ионы могут продиффундировать на 1 2 мкм. При меньших же температуре и времени отжига не достигается полного восстановления кристаллической структуры полупроводника. [29]

Обычный способ центрирования по цилиндрическим поверхностям неприемлем, когда в системе соединяемых деталей возникают значительные тепловые деформации. [30]

Страницы: 1 2 3 4