Излом - прямая
Cтраница 4
Поскольку адгезия от толщины адгезива не зависит, то при уменьшении толщины адгезива можно достигнуть адгезионного типа разрушения, если адгезия меньше теоретической прочности адгезива. Опыты показали, что действительно при толщине эпоксидного адгезива 50 мкм наблюдается когезионный тип разрушения, а при меньших - смешанный или адгезионный. На графиках зависимости ар / () в логарифмических координатах в области указанной толщины адгезива наблюдается излом прямых ( см. рис. 58), свидетельствующий о переходе от одного типа разрушения к другому. Следовательно, если при разрыве грибков получается когезионный отрыв, то о величине адгезии по таким данным судить нельзя. [46]
 |
Рефракция кислородного иона в стеклах системы SiOj - Na2SiOs. [47] |
Рефракцию кислородного иона можно рассматривать как чувствительный индикатор, способный отмечать внутримолекулярные перегруппировки в стеклах, появление или ла исчезновение в них новых молекулярных групп. Рефракция кислородного иона Rо для натриево-силикатных стекол показана на рис. 206, из которого следует, что 1) она возрастает пропорционально содержанию в стекле окиси натрия и что 2) закон изменения рефракции остается неизменным до тех пор, пока в системе происходят количественные изменения между компонентами системы. Качественное изменение системы происходит в точке, отвечающей по составу би-силикату натрия, и действительно в этой точке наблюдается излом прямой. [48]
Испытания с целью выявления причин отказов часто проводятся отдельно для каждого из определяющих видов нагрузок. Типичный пример показан на фиг. Прямая линия АВ свидетельствует о наличии одной причины отказов. Излом прямой в точке В говорит о появлении новой причины - такой, например, как обугливание изолятора или пробой диэлектрика из-за ионизации. Высокое напряжение при испытаниях часто вызывает отказы из-за появления коронного разряда. [49]
С для п 1 - s - 6 табулированы в [7] в функции от параметра, соответствующего 1 / К. Так как в этом случае относительная температура 0 слоя металла зависит, в конечном счете, лишь от значений К и т, для ее расчета удобно пользоваться номограммой ( рис. 4.12), построенной в полулогарифмических координатах. Это связано с наступлением в двухслойной стенке регулярного режима. Излом прямых при т; 0 5 вызван изменением масштаба номограммы по оси абсцисс. [50]
Окись свинца восстанавливают углеродом. Также получают из сульфида цинк. Надо отметить, что на рис. 4 линия ZnO имеет излом, соответствующий точке кипения металла при 907 С. Заметим попутно, что подобные изломы прямых на рис. 4 указывают на изменение агрегатного состояния - плавление либо кипение металла или его соединения. [51]
Подтверждением линейной зависимости яркости от напряжения служит работа по катодолюминесценции сульфидов щелочно-земельных металлов ( CaS. В указанных пределах напряжения автором констатирована достаточно строгая пропорциональность между яркостью и напряжением. Характерно, что в области 300 V наблюдается излом прямой; при пониженном напряжении яркость возрастает более медленно, чем это требуется остальным участком прямой. Интерпретация экспериментальных результатов проведена автором с большим числом произвольных допущений. Условия самого опыта неудовлетворительны из-за недостаточно строгого способа измерения подаваемой на экран мощности. [52]
 |
Рефракция кислородного иона в стеклах системы Na2Si03 - Si02. [53] |
Рефракция кислородного иона Ло для натриево-силикатных стекол показана на рис. 226, из которого следует, что 1) она возрастает пропорционально содержанию в стекле окиси натрия и что 2) закон изменения рефракции остается неизменным до тех пор, пока в системе происходят только количественные изменения между компонентами системы. В правой части рисунка показано изменение R0 при взаимной замене молекул Na20 - Si02 и Na20 - 2Si02, а в левой части налицо уже качественно иная система: смесь молекул Na20 - 2Si02 nSi02, причем в обоих случаях имеет место прямолинейное-изменение рефракции. Появление в системе молекул нового вида ( Si02), т.е. качественное изменение системы, вызывает резкое изменение в росте рефракции кислородного иона. Качественное изменение системы происходит в точке, отвечающей по составу бисиликату натрия, и действительно в этой точке наблюдается излом прямой. [54]
Титрованный 0 1 М раствор хлорида магния наливают в бюретку. Затем приливают 1 мл раствора MgCl2 в стакан с раствором фосфата, смесь перемешивают и раствор просасывают через пористый фильтр в рубашку счетчика. Снова проводят измерение активности. Повторяют операции измерения активности и наносят результаты на график в координатах активность - объем добавленного реагента. Добавление раствора MgClg ведут до тех пор, пока на графике не получится четкий излом прямой. Определяют графически точку эквивалентности. Повторяют определение со второй параллельной пробой раствора и рассчитывают содержание фосфат-ионов в исследуемом растворе. [55]
Титрованный 0 1 М раствор хлорида магния наливают в бюретку. Затем приливают 1 мл раствора MgClg в стакан с раствором фосфата, смесь перемешивают и раствор просасывают через пористый фильтр в рубашку счетчика. Снова проводят измерение радиоактивности. Раствор спускают в стакан и прибавляют еще 1 мл стандартного раствора MgCla. Повторяют операции измерения радиоактивности и наносят результаты на график в координатах радиоактивность - объем добавленного реагента. Добавление раствора MgCl2 ведут до тех пор, пока на графике не получится четкий излом прямой. Определяют графически точку эквивалентности. Повторяют определение со второй параллельной пробой раствора и рассчитывают содержание фосфат-ионов в исследуемом растворе. [56]
Страницы: 1 2 3 4