Способность - транзистор
Cтраница 1
 |
Распределение токов в транзисторе в активном состоянии.| Транзисторный усилительный каскад с общим эмиттером. [1] |
Способность транзистора распределять ток эмиттера в заданном соотношении между коллектором и базой может быть использована для усиления электрических сигналов. [2]
 |
Схема, поясняющая процесс усиления сигнала транзистором.| Цепь база - эмиттер ( слева и цепь. [3] |
Способность транзистора усиливать можно продемонстрировать, собрав схему рис. VI. [4]
 |
Схемы типа НЕ. [5] |
Используя способность транзисторов инвертировать сигналы, поступающие на вход, с помощью схем последовательного и параллельного соединения транзисторов одновременно решают две логические задачи И-НЕ и ИЛИ-НЕ. Схема, приведенная на рис. 9.35, по существу, реализует логическую задачу ИЛИ-НЕ. В исходном состоянии этой схемы на входы подаются отрицательные полярности, на выходе при этом будет инверсная - положительная - полярность. При перемене на одном из входов полярности меняется на противоположную и полярность на выходе. [6]
 |
Основная схема транзисторного выходного каскада строчной развертки.| Идеализированная ( АБ и реальная ( АБ характеристики запирания выходного транзистора. [7] |
Оно определяет способность транзистора создать нужное отклоняющее поле. [8]
 |
Устройство бездрейфовых транзисторов. [9] |
Они определяют способность транзистора работать на высоких частотах. [10]
Область безопасной работы описывает способность транзистора противостоять перегрузкам по току и по напряжению. Перегружать IGBT транзистор по напряжению не допускается, но по току он выдерживает 7 - 10-кратные кратковременные перегрузки. [12]
Тепловое сопротивление переход - среда Rac характеризует способность транзистора передавать тепло, выделяющееся в коллекторном переходе, в окружающую среду. С / Вт, позволяет уменьшить RKC и получить режим с предельными токами и напряженном питания. [13]
Произведение нагрузочного коэффициента на коэффициент насыщения является важной характеристикой схемы, определяющей способность транзистора входить в насыщение и управлять несколькими нагрузками. [14]
Страницы: 1 2