Cтраница 3
Нагрузочная способность характеризует максимальное число микросхем, аналогичных рассматриваемой, которые можно одновременно подключить к ее выходу без искажения передачи информации. Чем выше коэффициент п, тем шире логические возможности микросхемы и тем меньшее число микросхем необходимо для построения сложного вычислительного устройства. Однако увеличение коэффициента п ограничено, поскольку с ростом числа нагрузок ухудшаются другие основные параметры микросхем, главным образом статическая помехоустойчивость и среднее время задержки сигнала. [31]
Нагрузочная способность этих передач примерно в 1 5 раза больше по сравнению с обычными червячными передачами. Повышение нагрузочной способности глобоидных передач объясняется одновременным зацеплением большого числа зубьев и благоприятным расположением линий контакта. [32]
Нагрузочная способность по току определяется НИЗКИМ уровнем остаточного напряжения, максимальное значение которого составляет 0 4 или 0 5 В. Однокорпусные универсальные линейные формирователи ( приемопередатчики) в интегральном исполнении подключаются к каждой линии шины данных одновременно и выходом и входом. [33]
Нагрузочная способность рассчитана по допускаемой контактной поверхностной прочности и изгибу-зубьев шестерен. Расчет зубьев на изгиб проведен из условия реверсивной работы передачи. [34]
Структурная схема ртутного вентиля. а - с горящей дугой. 6 - участок у катода в дуге. [35] |
Нагрузочная способность по току у двухпроводящих тиристоров по отношению к каждой из структур составляет примерно 75 % от тока в однопроводящих тиристорах. Напряжения, выдерживаемые двухпроводящими тиристорами, сохраняются примерно на том, же уровне, что и у однопроводящих тиристоров. [36]
Нагрузочная способность оценивается коэффициентом разветвления по выходу - числом входов однотипных ИМС, которые могут быть подключены к одному выходу. [37]
Нагрузочная способность п характеризует число схем, которые могут быть подключены к выходу ИМС без искажения сигнала. Чем больше п, тем обычно меньше ИМС требуется для построения сложного вычислительного устройства. Логические ИМС имеют п 4 - т - 25 в зависимости от типа схемы. [38]
Нагрузочная способность п ( коэффициент разветвления на выходе) характеризует максимальное число ЛЭ, аналогичных рассматриваемому, которые одновременно можно подключать к его выходу. Чем выше нагрузочная способность, тем меньшее число ЛЭ необходимо для построения сложной цифровой микросхемы. Среднее время задержки сигнала возрастает вследствие увеличения емкости нагрузки. [39]
Нагрузочная способность равна числу коллекторов переключательного транзистора, поскольку к каждому выходу ЛЭ может быть присоединен только один нагрузочный элемент. Кроме того, с ростом п увеличиваются сопротивление базы и падение напряжения на этом сопротивлении, вызывающее неравномерное смещение эмиттерного р-п перехода. Чем больше удален коллектор от инжектора, тем меньше прямое напряжение на расположенном под этим коллектором участке эмиттерного р-п перехода и тем меньше рл п для данного коллектора. [40]
Нагрузочная способность таких подшипников приблизительно на 70 % больше, чем у шариковых, однако они не допускают перекоса колец, так как ролики начинают работать кромками и подшипники быстро выходят из строя. Эти подшипники допускают осевое взаимное смещение колец; их применяют для коротких жестких валов, а также в качестве плавающих опор. [41]
Нагрузочная способность и физическая длина МС являются важными системными параметрами, во многом определяющими функциональные и технические возможности построения сложных систем на базе комплексов СМ ЭВМ. Так как производительность центральных процессоров ( ЦП) комплексов СМ-3 и СМ-4 и пропускная способность МС достаточны для обслуживания большого числа периферийных устройств, эти характеристики комплексов становятся важными и во многом определяют возможность создания сложных, но эффективных систем на базе ТС СМ ЭВМ. [42]
Нагрузочная способность по выходу составляет 19 ед. [43]
Плохая нагрузочная способность и связанное с этим наличие затухания сигнала являются основными недостатками диодных элементов. [44]
Нагрузочная способность ЛВС зависит от инерции работы ПРР. Если его скорость переключения повышается, а полоса пропускания расширяется, то появляется возможность подключения большого числа блоков доступа к моноканалу без существенного снижения пропускной способности СПД. Этот наиболее важный блок нуждается в тщательной проработке схемного решения и использовании современной полупроводниковой технологии, позволяющей реализовать его в одном кристалле кремния. [45]