Cтраница 2
Объясните, почему с ростом коэффициента усиления транзисторов ( 5 нагрузочная способность элемента ( Р СТЛ-гипа увеличивается. [16]
![]() |
Схема ТТЛ-элемента И - НЕ со сложным инвертором. [17] |
На практике используют ТТЛ-элементы со сложным инвертором, позволяющим увеличить нагрузочную способность элемента. [18]
Условием функционирования системы, собранной из элементов СТ41, является учет нагрузочной способности элементов в схеме. Авторы системы не рекомендуют пользоваться в схемах запрещающим входом этого элемента, так как при его использовании необходимо согласование входных давлений, а именно. [19]
Таким образом, уменьшение выходного напряжения совершенно незначительно, что - свидетельствует о большой нагрузочной способности элемента ПТТЛ-гипа. [20]
Для прямоугольного дешифратора фактором, ограничивающим число разрядов дешифрируемого слова, чаще всего является нагрузочная способность элементов входного регистра или элементов первого каскада. [21]
Неиспользуемые входы схем И должны быть объединены с одним из ее сигнальных входов в пределах нагрузочной способности передающего элемента ( каждый объединяемый вход эквивалентен одной нагрузке) или подключены к источнику постоянного напряжения от 2 4 до 4 5 В. [23]
![]() |
Диодно-транзисторные логические элементы ( ДТЛ. [24] |
Усилитель более высокого качества применен на выходе в схеме рис. 16.1, г; существенно увеличивается нагрузочная способность элемента, так как Т и Тг образуют составной транзистор. [25]
![]() |
Диодно-транзисторные логические элементы ( ДТЛ. [26] |
Усилитель более высокого качества применен на выходе в схеме рис. 16.1, г; существенно увеличивается нагрузочная способность элемента, так как TI и Г3 образуют составной транзистор. [27]
![]() |
Диодно-транзисторные логические элементы ( ДТЛ. [28] |
Усилитель более высокого качества применен на выходе в схеме рис. 16.1, г; существенно увеличивается нагрузочная способность элемента, так как Т и Г3 образуют составной транзистор. [29]
Сопротивления Лб в элементе РСТЛ-типа способствуют выравниванию базовых токов открытых транзисторов и обеспечивают тем самым увеличение нагрузочной способности элемента. [30]