Разрешающая способность - процесс - фотолитография
Cтраница 2
 |
Элементы продвижения ЦМД. а - шеврон. б - полудиск. [16] |
В настоящее время широкое применение находят другие формы управляющих пермаллоевых аппликаций, в первую очередь асимметричные шевроны и полудиски ( рис. 8.73, а и б), которые обеспечивают более широкую область устойчивой работы и большее быстродействие. Важное достоинство таких продвигающих элементов состоит в том, что они имеют лишь один немагнитный зазор между элементами на один период продвижения ЦМД, размер которого менее критичен, чем для структуры на рис. 8.72, что уменьшает требования к разрешающей способности процессов фотолитографии. [17]
 |
Схема процесса фотолитографии. [18] |
Помимо - кислотоустойчивости ( которая оценивается временем проникновения травителя через фотослой) фоторезист должен обладать достаточно высокой чувствительностью в определенном диапазоне волн. Сравнительной оценкой чувствительности фоторезиста может - служить время экспонирования фотослоя определенной толщины. Разрешающая способность фоторезистов должна быть не ниже 1000 лин / мм. В этом случае разрешающая способность процесса фотолитографий в целом может быть достигнута порядка 200 лин / мм, что позволяет формировать элементы с размерами до 2 5 мкм. [19]
Страницы: 1 2