Разрешающая способность - фотолитография
Cтраница 1
Разрешающая способность фотолитографии определяется по числу линий в 1 мм при равенстве ширины всех линий и зазора между ними. [1]
 |
Процессы фотолитографии, используемые при производстве полупроводниковых ИС. [2] |
Предельная разрешающая способность фотолитографии ограничивается дифракцией света. Минимальный размер воспроизводимого элемента, который может быть достигнут при оптических методах, составляет примерно 0 5 мкм. [3]
Ширина резистора ограничивается разрешающей способностью фотолитографии. Высокоомные резисторы рекомендуется выполнять в виде параллельных полосок с перемычками между ними. Номинал резистора в этом случае будет выдержан более точно, чем для резистора изогнутой формы. Любой диффузионный резистор может пересекаться проводящей дорожкой, так как проведение металлизированного проводника по слою оксида кремния, покрывающему резистор, не оказывает существенного вредного влияния. Резисторы, у которых необходимо точно выдерживать отношение номиналов, должны иметь одинаковую ширину и конфигурацию и располагаться в непосредственной близости друг от друга. Если ИМС содержит резисторы с большой рассеиваемой мощностью, то их следует располагать в периферийных областях кристалла. [4]
При современнбм уровне технологии разрешающая способность фотолитографии определяет достижимые геометрические размеры структур ИМС и достижимую поверхностную плотность размещения элементов микросхемы на подложке. Контур получаемого рисунка становится нечетким, а погрешность достигает величины, приближающейся к толщине пленки. [5]
 |
Структуры элементов в эпитаксиальных пленочных схемах. [6] |
Какими физическими причинами ограничена разрешающая способность фотолитографии. [7]
В настоящее время уже для всех является аксиомой, что разрешающая способность фоторезистов, как правило, перекрывает разрешающую способность фотолитографии. Возможность получения изображений с микронными и субмикронными размерами обусловлена тем, что в результате фотохимических процессов фоторезисты образуют беззернистые изображения молекулярно-дис-персной структуры. В этом случае размеры изображения должны быть ограничены размерами молекул полимера и длиной световой волны. Однако в действительности реально достижимая разрешающая способность зависит от всех факторов, действующих в процессе фотолитографии: плоскопараллельности подложки и слоя фоторезиста, дифракционных явлений в системе экспонирования, эффектов отражения света, интенсивности и равномерности освещения, коллимации светового потока и многих других. Даже при правильной оценке влияния различных факторов на конечный результат фотолитографического процесса достаточно трудно предусмотреть дополнительное искажение конечных размеров элементов в операциях проявления и травления. [8]
В последнее время пленки ОНК стали широко использоваться в качестве неорганических диэлектрических антиотражающих покрытий ( АОП) ( antireflective coating - ARC) для повышения разрешающей способности фотолитографии ( особенно фотолитографии в глубоком ( Х 300 нм) ультрафиолете - ГУФ фотолитографии - DLJV photolithography) при формировании фоторезистивных масок ( ФРМ) на слоях поликремнии и металлизации. [9]
Во избежание появления дефектов типа короткого замыкания шин на этом этапе необходимо тщательно контролировать все операции фотолитографии. Точность и разрешающая способность фотолитографии в значительной степени определяют плотность упаковки элементов МДП-ИМС. Допуск на перекрытие в шаблоне металлизации рассчитывают так, чтобы все области тонкого окисла под затворами были полностью покрыты металлом. Это исключает возможность появления паразитных МДП-транзисторов. [10]
Этот метод взвешивания может рассматриваться 1как широтно-ичушульсная модуляция сиг-пала. Основным недостатком этого метода взвешивания является чувствительность к технологическим погрешностям и требование вышкой разрешающей способности фотолитографии при изготовлении. Последнее обусловлено тем, что малые величины взвешивания реализуются при очень узких электродах. Кроме того, диапа-юн взвешивания амплитуд парциальных волн очень мал и не превышает 2 5: 1, что существенно ограничивает класс реализуемых частотных характеристик. [11]
Диффузионные резисторы могут быть также реализованы на основе любой из областей транзистора с приемлемыми для конкретных схем номинальными значениями сопротивления - от 5 до 50 кОм / квад-рат. Резисторы небольших номиналов формируют в виде прямоугольников между контактными площадками, резисторы больших номинальных значений имеют более сложную конфигурацию, например в виде змейки. Минимальная ширина активного слоя определяется разрешающей способностью фотолитографии и доходит до 3 мкм. [12]
При прогнозе путем экстраполяции всегда необходимо учитывать логику развития и физику явления. В частности, ни одна тенденция роста не может продолжаться безгранично, так как каждый параметр ограничен каким-то определенным пределом. Во многих случаях имеются естественные пределы, установленные физическими законами. Некоторые пределы менее очевидны, но тем не менее реальны и могут быть вычислены, например разрешающая способность фотолитографии или минимальный размер элементов интегральной микросхемы. [13]
Страницы: 1