Cтраница 1
Маскирующая способность проявляется также по отношению к то-рону и сульфосалициловой кислоте. [1]
Маскирующая способность слоев нитрида кремния для основных примесей значительно выше, чем слоев диоксида кремния. Так, слой толщиной 0 18 мкм полностью экранирует кремний от проникновения алюминия при диффузии из эвтектики Si - А1 в течение 44 ч при температуре 1150 С. Правда, при толщине менее 0 1 мкм Si3N4 взаимодействует с диффузантом с образованием стеклообразующей фазы, легко растворимой во фтористоводородной кислоте. [2]
Маскирующая способность комплексонов по отношению к различным осадителям зависит от целого ряда факторов. [3]
Сравнивать маскирующую способность разных дымов трудно, так как эта характеристика практически зависит не только от физического состояния частиц, но от конструкции генератора, его производительности, не говоря уже об атмосферных условиях. [4]
Белый фосфор по маскирующей способности превосходит все известные дымообразователи. Дым не ядовитый и не портит обмундирования и снаряжения. Красный фосфор обладает меньшей маскирующей способностью. [5]
![]() |
Зависимость маскирующей толщины слоя диоксида кремния при диффузии фосфора при температуре 1100 С ( а и бора ( в. [6] |
Все уравнения для расчета маскирующей способности оксидных покрытий применимы лишь для бездефектных оксидов. При наличии дефектов рассчитанную толщину маски необходимо удвоить. [7]
Между тем несомненный интерес представляет изучение маскирующей способности широкого круга известных в настоящее время комплексонов, обладающих различной комплексообразующей способностью и определенной избирательностью. Практически единственным исследованием в этой области является работа [7], в которой рассмотрены маскирующие свойства ряда комплексонов. [8]
Ярко выраженная опалесценция и мутность определяют большую маскирующую способность аэрозолей, нашедшую важное применение в военной технике. [9]
![]() |
Зависимость маскирующей толщины слоя диоксида кремния при диффузии фосфора при температуре 1100 С ( а и бора ( в. [10] |
В момент, когда граница стекла достигает поверхности кремния, маскирующая способность оксида становится равной нулю. [11]
Как видно из табл. 1, изученные комплексоны проявляют различную маскирующую способность по отношению к осаждению гидроокисей. [12]
Нитрид кремния обладает более высокой химико-термической стабильностью, электрической прочностью, диэлектрической проницаемостью, маскирующей способностью. В системе Si3N4 - SiO2 возможно формирование широкого ряда химических соединений - оксинитридов кремния, что позволяет в необходимых пределах модифицировать свойства бинарных компонентов как с той, так и с другой стороны. [13]
В связи с этим наряду с физико-химическими характеристиками процессов комплексообразования значительный интерес представляют экспериментальные данные по маскирующей способности комплексонов, выявляющие конкретные возможности их применения. [14]
Донорные примеси Р, As, Sb характеризуются низкими скоростями диффузии в оксиде, что определяет высокую маскирующую способность диоксида кремния по отношению к этим примесям. В планарной технологии чаще используют фосфор, так как в кремнии он диффундирует быстрее, чем другие примеси, и это сокращает длительность процесса диффузии. [15]