Cтраница 2
Оба пути перекрытия представляют собой комбинацию воздушной или фарфоровой изоляции с изоляцией дерева, прочность которой оценить чрезвычайно трудно ( см. гл. Величины импульсной прочности, приведенные в гл. Для сравнения вероятностей перекрытия по путям а и б необходимо пользоваться значениями средней электрической прочности изоляции дерева. Кроме того, по пути а значительно меньше вероятность перехода импульсного перекрытия в силовую дугу. [16]
С другой стороны, в 1927 - 1928 гг. Косселем и Странским был развит молекулярно-кинетический подход к рассмотрению кристаллизационных явлений. Важную роль в их теории играет так называемое положение на половине кристалла. Это положение является самовоспроизводимым: если кристалл достаточно большой, то присоединение или отрыв одной частицы от1 этого положения не вызывает никаких изменений - ни геометрических, ни энергетических. Эти свойства положения полукристалла превращают его в своеобразный эталон сравнения вероятностей элементарных процессов отрыва и присоединения и к другим местам на поверхности кристалла. Из нее следует, что рост плотноупакованных граней кристалла энергетически затруднен из-за необходимости предварительного образования стабильных в отношении дальнейшего роста двумерных комплексов. [17]
Кейнс определяет вероятность как степень разумной уверенности, понимая ее, т.о., как субъективную категорию. Он исходит из того, что обычная импликация р 3 ч является частным случаем более широкой вероятностной импликации вида р более или менее влечет ( / /, что можно записать так: знание р оправдывает разумную уверенность в с /, степень к-рой С. Правда, вероятность С, по Кейнсу, вообще говоря, не имеет численной величины. Больше того, вероятности весьма редко можно сравнивать друг с другом, ибо, хотя они, согласно Кейнсу, и расположены между О и 1, но находятся не на одной прямой, а как бы на разных кривых, соединяющих точки 0 и 1 так, что для сравнения вероятностей необходимо еще знать, находятся ли они на одной линии. [18]