Излучение - световая энергия
Cтраница 1
Излучение световой энергии происходит за счет изменения внутриатомной энергии, обусловленной взаимным расположением ядра атома и окружающих его электронов. Атомы могут обладать только определенным запасом внутренней энергии. При нормальном состоянии атома электроны его внешней оболочки находятся на орбите, ближе расположенной к ядру. Атом при этом обладает минимальной энергией. Если ему сообщить извне некоторую энергию, то электроны переходят на более удаленный от ядра энергетический уровень или совсем удаляются из поля действия ядра атома; в последнем случае атом переходит в положительно заряженный ион. Электрон, расположенный на более удаленном энергетическом уровне, находится в неустойчивом, возбужденном состоянии; по истечении некоторого времени он самопроизвольно возвращается на нормальный или какой-либо промежуточный энергетический уровень. Освобождающийся при этом избыток энергии выделяется в виде лучистой энергии. [1]
 |
Радиометрические ( физические понятия. [2] |
Источник характеризуется излучением световой энергии в единицу времени, с единицы площади или с единичной площади за единицу времени. В системе СГС энергия излучателя измеряется в эргах, в системе СИ - в джоулях. [3]
 |
Характеристики лазерно-лучевого индикатора с последовательной выдачей. [4] |
Процесс генерирования и излучения световой энергии лазером, отличающийся от процесса в обычных источниках света, носит название стимулированное излучение. Рассмотрим систему атомов, характеризуемую двумя энергетическими состояниями Е и Е % ( фиг. [5]
Пламенная фотометрия основана на изучении излучения световой энергии атомами элементов, внесенных в пламя газовой горелки. [6]
Внутренний фотоэффект заключается в том, что источник излучения световой энергии вызывает увеличение энергии у части электронов веществ, ионизацию атомов и образование новых носителей зарядов ( электронов и дырок), вследствие чего уменьшается электрическое сопротивление освещаемого материала. Если при внешнем фотоэффекте электроны покидают пределы освещаемого вещества, то при внутреннем фотоэффекте они остаются внутри его, увеличивая количество носителей электрических зарядов. [7]
Среди фотоэлектрических полупроводниковых приборов можно выделить такие, в которых излучение световой энергии действует на объем полупроводника, и приборы, в которых излучение действует на область вблизи р-п-перехода. [8]
Второй важной характеристикой тел, участвующих в процессах поглощения и излучения световой энергии, является поглоща-тельная способность. [9]
Чем чище и однородней вещество, тем тоньше и четче его спектральная линия, вернее, линии, поскольку их обычно несколько. Каждая линия соответствует определенной частоте излучения световой энергии. А частота зависит только от внутреннего, атомного строения возбужденного электрическим разрядом пара или газа. Длина волны излучения однозначно связана с частотой: чем больше частота, тем меньше длина волны. [10]
В исследовании излучения полупроводников и диэлектриков исторически сложились два термина - люминесценция и рекомби-национное излучение. Фото - и электролюминесценция кристаллов начали исследоваться значительно раньше, чем были заложены основы физики полупроводников. С развитием зонной теории твердого тела и экспериментальным исследованием свойств полупроводников стало понятно, что и люминесценция кристаллов, и излучательная рекомбинация в полупроводниках имеют общую природу - переходы электронов в твердом теле из одного энергетического состояния в другое с излучением световой энергии. [11]
В исследовании излучения полупроводников и диэлектриков исторически сложились два термина - люминесценция и реком-бинационное излучение. Фото - и электролюминесценция кристаллов начали исследоваться значительно раньше, чем были заложены основы физики и полупроводников. С развитием зонной теории твердого тела и экспериментальным исследованием свойств полупроводников стало понятно, что и люминесценция кристаллов, и излучательная рекомбинация в полупроводниках имеют общую природу - переходы электронов в твердом теле из одного энергетического состояния в другое с излучением световой энергии. [12]
В исследовании излучения полупроводников и диэлектриков исторически сложились два термина - люминесценция и реком-бинационное излучение. Фото - и электролюминесценция кристаллов начали исследоваться значительно раньше, чем были заложены основы физики и полупроводников. С развитием зонной теории твердого тела и экспериментальным исследованием свойств полупроводников стало понятно, что и люминесценция кристаллов, и излучательная рекомбинация в полупроводниках имеют общую природу - переходы электронов в твердом теле из одного энергетического состояния в другое с излучением световой энергии. [13]
Важна только концентрация возбужденных атомов, так как она, как и в случае термического свечения, определяет в конечном итоге интенсивность линий в спектре эмиссии. Однако возбужденный атом может перейти в нижнее состояние не только за счет спонтанной эмиссии, но также и при ударе второго рода; поэтому не вся поглощенная энергия будет переизлучена пламенем. Кроме того, следует учесть, что переизлученный пламенем свет-рассеянный. Таким образом, количество попадающей на приемник излучения световой энергии при наблюдении спектров флуоресценции будет значительно меньше, чем в случае использования спектров поглощения. [14]
В абсолютно чистом виде эти вещества свет не излучают. Количество металла-активатора колеблется от 0 05 % для меди до 0 2 % для марганца. Металл-активатор внедряется при прокаливании в кристаллическую решетку основы и располагается в междуузлиях. При облучении такого состава светом, атомы металла-активатора ведут себя как электронные ловушки, поглощая световые фотоны и переходя в возбужденное состояние. Последующий возврат в основное состояние сопровождается излучением световой энергии. Светосоставы описанного типа обладают определенной длительностью свечения после прекращения возбуждения. Называются такие светосоставы - светосоставами временного действия. [15]
Страницы: 1