Cтраница 1
Анизотропия существенно усложняет картину баллистич. [1]
Схема взаимодействия космических лучвй с атмосферой.| Амплитуда анизотро. пин космических лучей в зависимости от энергии в интервале. ЮМ - Ю вВ. [2] |
Анизотропия 0 1 % с максимумом вблизи 19Л звездного времени примерно совпадает с направлением магн. [3]
Анизотропия К, означает зависимость большинства их свойств, напр, теплопроводности, оптических, электрических, механических, от внеш. Симметрия К, заключается в том, что разл, признаки - внеш. Анизотропия скоростей роста граней кристаллич. [4]
Зависимость амплитуды осцилляции коэффициента поглощения звука ( Г в Sn от направления магнитного поля. [5] |
Анизотропия обусловлена тем, что даже слабое отличие геометрически эквивалентных ( при 0 0) участков, созданное малым поворотом Н, приводит к заметной разности квазиклассич. [6]
Анизотропия самого общего вида у реальных материалов, когда матрица коэффициентов податливости IS) содержит 21 независимый коэффициент, - явление редкое. Обычно структура материала такова, что его упругие свойства в некоторых направлениях идентичны. В этих случаях число независимых коэффидиентов в матрице коэффициентов податливости ( и, следовательно, в матрице коэффициентов жесткости) уменьшается, и при надлежащем выборе системы координат упрощается запись закона Гука. Если в анизотропном теле его упругие свойства идентичны в любых двух направлениях, симмет-ричных относительно некоторой плоскости, то такая плоскость называется плоскостью упругой симметрии. В этом случае число независимых коэффициентов, описывающих свойства материала, сокращается до тринадцати [29], а закон Гука принимает более простой вид при совмещении одной из координатных плоскостей с плоскостью упругой симметрии. [7]
Анизотропия, наблюдаемая у плохо графитирующихся коксов при измерении удельного сопротивления ( см.рис. 2) в режиме прессования значительно меньше анизотропии графитирующихся коксов. Это определяется прежде всего наличием большой примеси карбиновых полупроводниковых включений, зона Ферми которых достаточно далеко удалена от валентной зоны. Поэтому прокалка этих материалов с целью графитации не может проводиться при температурах, близких к равновесию карбин-графит, даже в течение длительного времени и даже под большим давлением. [8]
Анизотропия наблюдается также у полимерных материалов, подвергнутых холодной вытяжке. [9]
Схемы кристаллических решеток. [10] |
Анизотропия характерна и для поверхностных слоев кристаллов. Такие свойства как поверхностное натяжение, электронные потенциалы, адсорбционная способность, химическая активность существенно различны у различных граней кристаллов. [11]
Анизотропия), происходящее вследствие зависимости показателя преломления среды от поляризации и ориентации волнового вектора относительно кристаллогра-фич. Световая волна в анизотропном в-ве распадается на две преломленные волны ( обыкновенную и необыкновенную), имеющие разную поляризацию и идущие в разных направлениях с разл. [13]
Анизотропия), происходящее вследствие зависимости показателя преломления среды от поляризации и ориентации волнового вектора относительно кристаллогра-фич. Световая волна в анизотропном в-ве распадается на две преломленные волны ( обыкновенную и необыкновенную), имеющие разную поляризацию и идущие в разных направлениях с разл. [15]