Анизотропия - кристалл
Cтраница 3
Вращающий момент, обусловленный анизотропией кристалла и препятствующий отклонению вектора намагниченности от направления легкого намагничивания, зависит от направления намагниченности. [31]
В чем проявляется техническая важность анизотропии кристаллов. [32]
 |
Модель ассоциативного дефекта, ответственного за голубую люминесценцию ZnS-Cl - фос-фора.| Модель ЕисаОр. [33] |
Поляризация люминесценции, связанная с анизотропией кристалла, не зависит от того, производится ли возбуждение поляризованным или неполяр изован-ным светом. [34]
Итак, рассмотрим, как проявляется анизотропия кристалла при распространении в нем световой волны. [35]
В 0: их анизотропия соответствует анизотропии положительного кристалла. Численные значения постоянной Керра для разных веществ весьма различны. В / см 50 СГСЭ, то разность фаз в нитробензоле достигает 1 / 2я, иными словами, такой конденсатор Керра действует, как пластинка в четверть волны. Понятно, что нетрудно обнаружить гораздо меньшую разность фаз, и, следовательно, опыты с нитробензолом не наталкиваются на какие-либо трудности, связанные с чувствительностью. Поэтому нитробензол находит себе широкое применение во всех технических устройствах. [36]
Дополнительные осложнения появляются при необходимости учета анизотропии кристалла, в котором силы межатомного взаимодействия также анизотропны. [37]
 |
Примеры кристаллических решеток. [38] |
Упорядоченное расположение частиц в виде решетки определяет анизотропию кристаллов; их свойства, в том числе электрические и механические ( прочностные), различны в разных направлениях. Анизотропными могут быть твердые материалы и по другим причинам. Например, у материалов слоистой структуры свойства различны в направлениях, перпендикулярном и параллельном расположению слоев. [39]
Направление спонтанной намагниченности указанных двух подрешеток определяется анизотропией кристалла. Ход изменения восприимчивости температурой зависит от ориентации измерительного поля. Если это поле направлено параллельно спонтанной намагниченности, то восприимчивость ниже точки перехода с падением температуры уменьшается до 0, так что у обнаруживает максимум при Тс. Если поле перпендикулярно направлению спонтанной намагниченности, то ниже Тс восприимчивость не зависит от температуры. [40]
Направление спонтанной намагниченности указанных двух подрешеток определяется анизотропией кристалла. Ход изменения восприимчивости температурой зависит от ориентации измерительного поля. [41]
 |
Влияние растяжения на намагничивание материалов. А. [42] |
J / С только они и определяют всю анизотропию кристалла. [43]
Зависимость эффективной массы от направления движения электрона объясняется анизотропией кристалла: при движении электрона силы взаимодействия его с кристаллической решеткой различны в различных кристаллографических направлениях. [44]
 |
Примеры кристаллических решеток. [45] |
Страницы: 1 2 3 4