Анизотропия - подвижность
Cтраница 1
Анизотропия подвижности не нарушает симметрии равновесных электрич. [1]
Анизотропия подвижности определяется главным образом структурой кристалла и симметрией молекулярных волновых функций, которые могут быть хорошо учтены при расчете структуры зон. Анизотропия подвижности зависит также до некоторой степени от анизотропии рассеяния носителей; рассмотрение этого последнего явления представляет собой в настоящее время непосильную задачу. [2]
Они тщательно исследовали анизотропию подвижности н осцилляции Шубникова - де Гааза в условиях различных одноосных напряжений. [3]
Анизотропия электрических свойств связана с анизотропией подвижности носителей заряда. На электрические параметры селена очень сильное влияние оказывают состав и концентрация примесей. [5]
Анизотропия проводимости определяется в свою очередь анизотропией подвижности носителей заряда. [6]
Кроме того, Метте и Пик изучили анизотропию подвижности и установили, что проводимость изотропна в плоскости ab, а в направлении, перпендикулярном этой плоскости, ее величина уменьшается в 5 - 10 раз. [7]
Не менее резкая, чем в висмуте, анизотропия подвижности и влияния магнитного поля наблюдается в монокристаллах графита и в ряде других полупроводников. [8]
 |
Температурная зависимость подвижности электронов ( светлые кружочки. [9] |
Оказалось, что даже в плоскости ab наблюдается некоторая анизотропия подвижностей. Была также измерена зависимость подвижностей от температуры. На рис. 15 дан график, где отношение подвижности при температуре измерения к подвижности при комнатной температуре отложено против температуры. Как видно, подвижность обратно пропорциональна температуре. [10]
 |
Схема для расчета энергии разделения зарядов. [11] |
Другое явление, обнаруженное в работе Ле Блана - это анизотропия подвижности. Поскольку резонансные интегралы зависят от перекрывания молекулярных орбиталей, а это перекрывание различно в трех главных кристаллографических направлениях, вычисления такого типа приведут к упомянутой анизотропии. [12]
 |
Частотные зависимости компонент электропроводности а, и а, обусловленные диэлектрическими потерями ( смесь оснований Шиффа ( 2. ХП, 22 С. [13] |
Существенно, что анизотропия электропроводности в этой частотной области определяется не анизотропией подвижности ионов ( гл. [14]
При расчете зонной структуры антрацена [69] было показано, что должна наблюдаться анизотропия подвижностей, которая определяется структурой кристалла и симметрией молекулярных волновых функций. Расчет анизотропии был проведен для двух случаев рассеяния: как при постоянном времени свободного пробега, так и при постоянной длине его. [15]
Страницы: 1 2 3