Анизотропия - рассеяние
Cтраница 1
Наблюдавшаяся анизотропия рассеяния указывает на несферическую ( возможно чечевицеобразную) форму этих дефектов. С повышением температуры испытания размеры начальных дефектов уменьшались, и наоборот - при низких температурах быстро возникала большая макроскопическая трещина. [1]
Подлинный учет анизотропии рассеяния приводит к необходимости введения времени релаксации т / в тензорном виде; Хэм [33] указал на то, что тензор т / должен диагонализоваться одновременно с тензором эффективной массы; Гликсмен [34] показал, что для интерпретации результатов исследования рассеяния на ионизированной примеси в германии / г-типа необходимо считать т / тензорной величиной. [2]
Это вызывается анизотропией рассеяния в сильном магнитном поле, а также анизотропией в распределении волновых векторов турбулентных пульсаций. [3]
Недавно стало возможным наблюдать анизотропию рассеяния электронов от малых площадок аморфных пленок и получать изображения, которые отражают различия в рассеянии от различных микроскопических областей. Однако хотя эти сведения о различии рассеяния ясны, систематических работ в этом направлении еще нет. [4]
Однако отсутствие теории термо - ЭДС с учетом анизотропии рассеяния не позволяет в настоящее время провести необходимую обработку экспериментальных данных. Исследованию термо - ЭДС дырочного германия посвящен ряд работ. [6]
Вскоре, однако, была обнаружена важность корректного учета анизотропии рассеяния носителей тока. [7]
Здесь же приведены средние значения А / ср, которые соответствуют изменениям структурной амплитуды, обусловленным анизотропией рассеяния рентгеновых лучей поликристаллическими объектами. [8]
Предварительное исследование процессов рассеяния в полупроводниках ( см. приложение А в работе [5]) показало, что хотя анизотропия рассеяния в - пространстве часто существенна, она все / ко обычно выражена не слишком резко. Таким образом, можно надеяться, что указанное приближение в большинстве случаев окажется достаточно хорошим. Чтобы оцепить справедливость этих ожиданий количественно, мы исследовали в приложении А некоторые частные случаи, в которых уравнение (: 1) можно решить точно, и сравнили полученные результаты с тем, что получается в пренебрежении в ( 7) и ( 8) членами с I I. Однако результаты приложения А позволяют думать, что если время релаксации носителей тока т ( К) пли какая-нибудь аналогичная мера эффективности S меняется при перемещении вдоль энергетической поверхности не более чем в несколько раз, то ошибка обычно будет составлять лишь несколько процентов. Некоторые грубые оценки ( см. приложение А в работе [5]) показали, что анизотропия рассеяния на акустических колебаниях обычно ( правда, не всегда) удовлетворяет этому условию. Степень анизотропии примесного рассеяния известна менее точно. Ясно, однако, что при не слишком большой доле примесного рассеяния полная функция рассеяния не выйдет за пределы применимости настоящего метода. [9]
Для получения полной интенсивности к этому выражению следует добавить еще второе слагаемое, изображающее рассеяние света на флуктуациях анизотропии. Отсутствие строгой теории анизотропии рассеяния не позволяет рассчитать это слагаемое. [10]
 |
Таблиц 1. Библиографий 17. [11] |
Полученные результаты использованы для вычисления структурных амплитуд для кубических объемно - и гранецентрированных решеток. Показано, что у переходных металлов анизотропия рассеяния рентгеновых лучей и электронов должна наблюдаться как для монокристалличе-скнх, так и для поликристаллнческих тел. Изменения относительных интенсивностей рентгенограмм, обусловленные отклонением от центральной симметрии в пространственном распределении электронов, могут достигать 20 - 40 % для элементов второго периода и 4 - 5 % для переходных металлов. [12]
Числитель формулы (34.36) совпадает с известным выражением для среднего квадрата броуновского перемещения частиц. Что касается знаменателя, то в нем учитывается анизотропия рассеяния нейтронов. [13]
Анизотропия подвижности определяется главным образом структурой кристалла и симметрией молекулярных волновых функций, которые могут быть хорошо учтены при расчете структуры зон. Анизотропия подвижности зависит также до некоторой степени от анизотропии рассеяния носителей; рассмотрение этого последнего явления представляет собой в настоящее время непосильную задачу. [14]
Таким образом, вместо единственного скалярного времени релаксации т (), характеризующего состояния с энергией, вводится три времени релаксации ( тг (), т2 (), т3 ()), соответствующие трем главным осям эллипсоида. Приближение Херринга и Фогта дает хорошие результаты, если анизотропия рассеяния не очень велика. В частности, с помощью этой теории удается удовлетворительно описать подвижность, гальваномагнитные эффекты и пьезосопротивление в Si и Ge. He всегда оказывается существенным требование наличия двух плоскостей симметрии. Так, расчеты [14], выполненные для В12Те3, где через центры эллипсоидов энергии проходит только одна плоскость симметрии, показали, что недиагональные компоненты тензора релаксации очень малы по сравнению с диагональными. [15]
Страницы: 1 2 3