Вклад - процесс
Cтраница 4
Из рис. 5.9 а видно, что с увеличением глубины залегания скрытого слоя коэффициент переноса неосновных носителей рр вначале возрастает, что объясняется уменьшением вклада процесса рекомбинации дырок, выталкиваемых на поверхность встроенным полем, а затем падает, так как при удалении скрытого слоя путь неосновных носителей в базе увеличивается. [46]
Они пришли к заключению, что наблюдаемые изменения удерживаемых объемов, обусловленные изменением содержания модификатора на полимерном адсорбенте, являются результатом изменения абсолютных ( и относительных) вкладов процессов адсорбции и абсорбции. Еще один важный вывод состоит в том, что модель сорбента и уравнения для величин удерживания, полученные ранее [ 36J для систем ТН - НЖФ, справедливы также и для систем полимерный адсорбент - НЖФ. [48]
Ход кривой закона дисперсии гораздо лучше, чем получается на основе простых расчетов Фейнмана, хотя согласие с экспериментом все еще не очень хорошее, особенно при больших волновых векторах, когда вклад процессов более высоких порядков значителен. [49]
 |
Вклады абсорбции и адсорбции на межфазных границах НЖФ в величину удерживаемого объема этилацета-та на тиодипропионитриле. [50] |
Вклад процессов адсорбции на межфазных границах НЖФ в величину удерживаемого объема может быть значителен. Так, например, на рис. 2 показано соотношение отдельных вкладов для всех трех процессов ( абсорбции в НЖФ и адсорбции на ее межфазных границах) для системы: хроматографируе-мое соединение - этилацетат, НЖФ - тиодипропионитрил, твердый носитель - огнеупорный кирпич. Как следует из рисунка, адсорбция на поверхности твердого носителя, наряду с адсорбцией на поверхности НЖФ. [51]
 |
Классификация хроматографических методов.| Вклады абсорбции и адсорбции на межфазных границах НЖФ в величину удерживаемого объема этилацетата на тиодипропионптриле. [52] |
Вклад процессов адсорбции на межфазных границах НЖФ в величину удерживаемого объема может быть значителен. Так, например, на рис. 2 показано соотношение отдельных вкладов для всех трех процессов ( абсорбции в НЖФ и адсорбции на ее межфазных границах) для системы: хроматографируе-мое соединение - этилацетат, НЖФ - тиодипропионитрил, твердый носитель - огнеупорный кирпич. Как следует из рисунка, адсорбция на поверхности твердого носителя, наряду с адсорбцией на поверхности НЖФ, вносит заметный вклад в величину удерживаемого объема этилацетата. [53]
Оценка вклада процесса теплоизлучения ( в результате которого нагретое тело передает часть энергии в окружающее пространство в виде электромагнитных волн длиной от 0 3 до 10 мкм) в общий тепловой процесс в ГГ показала, что он сравнительно невелик. [54]
Эти результаты подтверждают сделанный ранее Штадтменом [123] вывод, что выражение для скорости гидролиза N-ацетилимидазола содержит три константы, соответствующие кислотному, основному и нейтральному сольволизу. При рН 7 вклад процессов, соответствующих гидролизу, катализируемому кислотой, нейтральному гидролизу и гидролизу, катализируемому основанием, в наблюдаемую скорость гидролиза составляет 14, 62 и 24 % соответственно. [55]
Получены выражения для положительного сдвига g - фак-тора ионов переходных металлов в 65-состоянии, располагающихся в тетраэдрических узлах сильно ковалентных соединений А111 - Bv. Первое выражение характеризует вклад процессов с переносом дырочного заряда с центрального иона переходного металла на окружающие его атомы лигандов через лигандное спин-орбитальное взаимодействие. Этот вклад велик в соединениях, элементы которых имеют большие постоянные спин-орбитальной связи и в которых спиновая плотность иона переходного металла сильно делокализована на окружающие лиганд-ные атомы. Второе выражение характеризует вклад Ватанабе ( J. Этот вклад возрастает с ростом постоянной спин-орбитальной связи центрального иона и ослаблением делокализации спиновой плотности примесного центра. Показано, что в случае Fe3 в арсениде галлия основной вклад в сдвиг g - фактора дают процессы с переносом дырочного заряда с антисвязующего еа-уровня на несвязующий / - уровень вследствие значительной я-акцепторной способности еа-уровня. [56]
Как правило, процессы смещения границ протекают при меньших / /, чем процессы вращения /; парапроцесс происходит только в сильных магнитных полях. В обычных ферромагнетиках вклад процессов смещения и вращения в результирующую величину / па различных участках кривой намагничивания зависит от магнитной текстуры, совершенства крнстал-лнч. [57]
Для явного вычисления собственно-энергетической части следует ввести некоторые упрощения. Винтер [1875, 1877] пренебрег вкладом процессов рассеяния, при которых электрон переходит из одной подзоны в другую. В этом приближении матрица собственно-энергетической части диагонализуется. Винтер вычислил собственно-энергетическую часть в низшем приближении по динамическому экранированному кулоновскому взаимодействию, использовав приближение плазменного полюса, обсуждавшееся в § 6 гл. [58]
Страницы: 1 2 3 4