Вклад - рассеяние
Cтраница 1
Вклад рассеяния на протоне измеряется в отд. [1]
Вклад рассеяния достаточно большой, чтобы создать равновесие, но новые фотоны рождаются недостаточно быстро. [2]
Соотношение вкладов рассеяния и поглощения излучения частицами туманов значительно варьирует по спектру длин волн. [3]
 |
Влияние условий съемки на характер дифракционной картины ПВХ. [4] |
Увеличению вклада рассеяния добавок часто способствует значительно больший их эффек - fOD тивный объем, чем у ПВХ. [5]
Наконец, рассмотрим вклад рассеяния нейтронов на дейтронах в квартетном состоянии. [6]
 |
Соотношения между холловскими подвижностями, обусловленными решеточным и примеханизмами рассеяния электронов в сильно легированном германии ( / - 100 К. 2 - 300 К. 3 - 500 К. [7] |
Следствием этого может явиться уменьшение вклада ре-зерфордовского рассеяния в суммарное рассеяние. [8]
 |
Зависимость эффективного параметра анизотропии от концентрации примеси. [9] |
При этом с ростом концентрации легирующей примеси увеличивается вклад рассеяния на заряженных центрах. Это подтверждается еще и тем, что второй участок кривой 2 проявляется при меньших концентрациях ( 2 - 1014слг3 2 - 101в слг3), так как при температуре жидкого азота вклад рассеяния на ионизованных примесях увеличивается. При еще большем легировании ( третий участок кривой /) вклад рассеяния ионами, безусловно, увеличивается, однако влияние экранирования ионов свободными электронами препятствует дальнейшему уменьшению К. [10]
Эта формула используется, например, для описания вклада рассеяния на ионизованных примесях в подвижность электронов в полупроводниках. Электронный газ считается при этом вырожденным; ml - эффективная масса электрона, вг - диэлектрическая проницаемость невозбужденного кристалла, п - плотность электронов. [11]
Как и в § 6.8, член, описывающий столкновение, учитывает вклад рассеяния электронов нейтральными атомами. Кроме того, он учитывает наличие реакций ионизации и рекомбинации. [12]
В сочетании с огромным числом возможных модификаций измерительных схем это означает, что в настоящее время невозможно рассчитать вероятный вклад рассеяния в прямом направлении в величину измеряемого затухания звука. [13]
Однако при тех температурах, когда справедлива эта простая формула, основной вклад в тепловое сопротивление дают фонон-фононные U-npo - цессы и вклад рассеяния на электронах в высокотемпературную теплопроводность металла мал. [14]
Следует отметить, что рассеяние света могло быть причиной аномалии величины оптической плотности, которую наблюдали авторы работы [25] вблизи края поглощения кристалла PMN, так как вклад рассеяния в величину оптической плотности может становиться более существенным по мере приближения к полосе поглощения. [15]
Страницы: 1 2