Cтраница 1
Вклад решетки в полную теплопроводность в сплавах можно найти более точно, чем в металлах, не только потому, что он велик, но также и потому, что по электропроводности электронную теплопроводность можно оценить с большей уверенностью. Таким образом, самый простой способ определения решеточной теплопроводности в каком-либо металле состоит в том, чтобы провести измерения в сплавах различного состава и экстраполировать результаты к нулевой концентрации примесей. [1]
Вклад решетки за счет внешних зарядов должен быть постоянным; ионный вклад может быть зависящей от времени функцией релаксации по ионным уровням. Однако в обсуждаемых ниже случаях ионный вклад либо незначителен ( 5-состояния), либо в тех случаях, когда он доминирует, возникает благодаря только двум уровням, создающим одинаковый градиент электрического поля, так что релаксационные эффекты не наблюдаются. Такой подход является упрощенным, однако влияния флуктуации члена eq в выражении для градиента электрического поля могут быть легко описаны теми же методами, которые используются для интерпретации электронной релаксации, проявляющейся в магнитном сверхтонком взаимодействии. [2]
Вклад решетки в магнитную восприимчивость очень мал в вырожденных образцах и становится более значительным в образцах, не сильно легированных. [3]
Температурная зависимость магнитной восприимчивости позволяет разделить вклад решетки и свободных носителей, а также определить эффективные массы. [4]
Поэтому при комнатной температуре молярная теплоемкость металлов практически целиком определяется вкладом решетки и почти не отличается от молярной теплоемкости диэлектриков, в которых электроны проводимости отсутствуют. [5]
Используя обсуждаемые здесь значения ет в модели межионных взаимодействий, можно вычислить вклад решетки в статическую диэлектрическую восприимчивость таким же способом, как это было сделано в разд. [6]
Большинство сплавов содержит достаточное количество примесей, которые обычно подавляют электронную теплопроводность, но слабо влияют на решеточную компоненту; последняя определяется главным образом фонон-фононным и электрон-фононным взаимодействием. Вклад решетки в полную теплопроводность для сплавов можно найти более точно, чем для чистых металлов, во-первых, потому что в сплавах она больше, во-вторых, электронную теплопроводность по электропроводности в сплавах можно оценить с большей уверенностью. [7]
T / eFsc 1 ( например, при комнатной температуре это отношение равно всего лишь 1 / 200), то теплоемкость вырожденного электронного газа примерно на два порядка меньше теплоемкости классического одноатомного газа с тем же числом частиц. Поэтому при комнатной температуре молярная теплоемкость металлов практически целиком определяется вкладом решетки и почти не отличается от молярной теплоемкости диэлектриков, в которых электроны проводимости отсутствуют. [8]
Следовательно, теплопроводность типичных чистых металлов практически полностью определяется теплопроводностью электронного газа. Только в металлических сплавах, в которых преобладающим механизмом рассеяния электронов становится рассеяние на примесях, А по порядку величины может сравняться с А ф и вклад в теплопроводность электронного газа в этом случае может быть примерно таким же, как и вклад решетки. [9]
На рис. 41 и 42 представлена зависимость положения компонент и расщепления спектров ряда гексафториридатов. Заметим, что по приведенным выше соображениям вклады перекрывания должны одинаково сдвигать в сторону слабого поля обе компоненты, в отличие от эффекта катиона, где амплитуда смещения определялась сложным набором параметров. Поэтому тот факт, что увеличение давления приводит к увеличению расщепления в спектре и, следовательно, к увеличению степени искажения октаэдра, является одним из наиболее веских аргументов, свидетельствующих в пользу того, что основным в эффекте искажения ок-таэдрических комплексов, по крайней мере [ IrFe ] -, является вклад решетки. [10]
При выполнении экспериментов с направлением у-лучей как параллельным, так и перпендикулярным направлению оси с было установлено, что поле Яэфф направлено вдоль оси с кристалла. Am 0 имели исчезающе малую интенсивность, когда у II эфф - Следовательно, здесь возникает анизотропное мессбауэровское поглощение, аналогичное ( за исключением поляризации у-лучей) случаю, наблюдавшемуся в поляризованном ферромагнетике ( разд. Этот эксперимент также позволяет определить прямой вклад решетки в градиент электрического поля в месте расположения иона диспрозия, так как ионный вклад ( обычно преобладающий) дублета основного состояния в этилсульфате диспрозия мал. [11]
Возможно также, что обсуждавшееся выше допущение Кока о характере температурной зависимости теплоемкости является слишком упрощенным. К соотношение (33.1) уже не выполняется. Это, впрочем, не столь существенно, так как следует все же ожидать, что вклад решетки в теплоемкость не меняется при переходе образца из нормального состояния в сверхпроводящее. Это означало бы, что наряду с отклонениями значений CJT вверх от прямой выше 71210 должны наблюдаться совершенно аналогичные отклонения и значений Са / Т, которые фактически не наблюдаются ( см. фиг. [12]
Возможно также, что обсуждавшееся выше допущение Кока о характере температурной зависимости теплоемкости является слишком упрощенным. К соотношение (33.1) уже не выполняется. Это, впрочем, не столь существенно, так как следует все же ожидать, что вклад решетки в теплоемкость не меняется при переходе образца из нормального состояния в сверхпроводящее. CJT, которые фактически не наблюдаются ( см. фиг. [13]