Вклад - электрон
Cтраница 3
В первую очередь следует отметить вопрос о вкладе электронов в плотность энергии металла и в его удельную теплоемкость. Согласно закону равномерного распределения энергии по степеням свободы ( см. раздел VI, гл. [31]
Ферми находится внутри Зг / - зоны, вклад электронов этой зоны в величину g ( ty очень мал. [32]
Коэффициенты гар, Y 2Ва, у определяющие вклад электронов в электрооптические постоянные Покельса, являются компонентами тензора третьего ранга. Если электрическое поле представляет собой макроскопическое поле, связанное с оптически активной продольной волной большой длины, то оно дается выражением (6.17) из гл. [33]
Чем объясняется малый по сравнению с кристаллической решеткой вклад электронов проводимости в теплоемкость металлов. [34]
При расчете энтропии следует вносить поправку на симметрию и вклад электрона ( см. сноску к табл. 1); длн веществ о сильно разветвленной цепью С и S определяются по правилу аддитшшости с точностью около 1 1кал / моль - град илиЗ меньше. [35]
При расчете энтропии следует вносить поправку на симметрию и вклад электрона ( см. сноску к табл. 1); для веществ с сильно разветвленной цепью С и S определяются по правилу аддитивности с точностью около 1 1кчл, мол ь - град пли меньше. [36]
 |
Изменение ширины запрещенной зоны. а - германия и Ь - кремния с температурой. [37] |
В электронном полупроводнике п р или п р и вклад электронов в проводимость оказывается решающим. В дырочном полупроводнике р п и вклады электронов и дырок примерно равны, или р п, тогда вклад дырок оказывается большим. [38]
 |
Теплоемкость серебра при низких температурах. [39] |
Как и при определении теплоемкости, здесь необходимо учитывать вклад электронов проводимости в теплопроводность. Как электропроводность, электронная составляющая теплопроводности определяется рассеянием электронов на дефектах решетки. Относительный вклад в теплопроводность электронов и фононов для разных кристаллов различен. [40]
В настоящее время экспериментально проверены эффекты, зависящие от вклада электронов и позитронов. В действительности в формулах, соответствующих диаграммам а) и б), фигурируют суммы по всем заряженным частицам. Все члены сумм имеют одинаковый знак. Из очевидных фактов, что наблюдаемый заряд конечен ( а не равен нулю), что конечно сечение рассеяния фотонов на фотонах, следует, что суммы сходятся; значит, число типов заряженных частиц конечно. Эти результаты противоречат тем предположениям, которые необходимы Хагедорну. [41]
 |
Совмещение двух крайних структур двойного электрического слоя в результате кристаллографической неоднородности поверхности металла и адсорбции поверхностно-активных ионов. [42] |
Нерешенным остается и вопрос, связанный с участием и вкладом электронов в структуру двойного слоя и с влиянием их на основные характеристики двойного слоя. Этот вопрос приобретает сейчас особое значение в связи с концепцией электронно-ионного равновесия между электродом и электролитом. [43]
В электронном полупроводнике и /; или п р и вклад электронов в проводимость оказывается решающим. В дырочном полупроводнике р п или р п и вклады электронов и дырок сначала равны, затем вклад дырок оказывается большим. [44]
Страницы: 1 2 3 4