Дополнительный вклад - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Человек, признающий свою ошибку, когда он не прав, - мудрец. Человек, признающий свою ошибку, когда он прав, - женатый. Законы Мерфи (еще...)

Дополнительный вклад

Cтраница 1


Дополнительный вклад в уширение происходит за счет фер-миевского движения нуклонов и связи А ( 123 2) с каналами реакций, что характерно для многочастичной ядерной системы.  [1]

Дополнительный вклад в активизацию сульфатредукции и образование биогенного сероводорода в нефтяном пласте может вносить использование в различных технологических процессах добычи нефти химических реагентов. В работах [457-459] показано, что некоторые из них ( некоторые типы ПАВ и композиций на их основе, полимеров, ингибиторов коррозии, деэмульгаторов и других веществ) вызывают нежелательное стимулирование сульфатредукции.  [2]

Дополнительный вклад в исследование пластического напряженно-деформированного состояния около острой несплошности был внесен многими другими учеными.  [3]

Дополнительный вклад в полный потенциал ячейки дает движущая сила, требующаяся для протекания электродных реакций с заметными скоростями. Поверхностное перенапряжение определяется как потенциал рабочего электрода относительно электрода сравнения того же типа, помещенного в раствор вблизи поверхности рабочего электрода. Таким образом, этот электрод сравнения является одним из тех, которые используются для определения концентрационного перенапряжения.  [4]

Дополнительный вклад в выходное излучение усилителя дает спонтанное излучение.  [5]

Дополнительный вклад, связанный с поглощением, вызванным дебаевской релаксацией, будет рассмотрен позднее.  [6]

7 Дискретное выделение в сплине Си - 3 % Ti ( 131. [7]

Дополнительный вклад вносит энергия упругих искажений ДСи, возникающих вследствие различий в удельных объемах Матрицы и фазы с иной кристаллической структурой.  [8]

Дополнительный вклад в устойчивость могут внести оставшиеся п электронов. Они должны распределяться по орбиталям и e g из. Эта часть устойчивости изменяется не монотонно: с увеличением количества электронов на ея-орбиталях, как уже отмечалось, она должна убывать, а не расти. При малом п, когда заполняются только g - орбитали, устойчивость растет, но при достаточно большом п ( п 3 для высокоспиновых комплексов и 6 для низкоспиновых) начинают заполняться разрыхляющие % - орбитали и устойчивость убывает. При максимальном заполнении ея-орбиталей ( п 5 для низкоспиновых комплексов и п 10 для высокоспиновых) устойчивость комплекса минимальна.  [9]

Дополнительный вклад в устойчивость могут внести оставшиеся п электронов.  [10]

Дополнительный вклад, вносимый в устойчивость комплекса алифатической оксигруппой ( Роэдфк / Ре - РМДФК / РС 1 8), невелик.  [11]

12 Температурная зависимость либрационных ( а и трансляционных. [12]

Дополнительный вклад в энгармонизм дает взаимодействие либрационных и внутримолекулярных колебаний, что в случае нежестких молекул типа н-гексана может менять значения частот на - 10 см-1. Таким образом, работа [86] указывает на необходимость учета энгармонизма, однако достаточно точные потенциальные кривые, которые нужны для решения этой задачи, пока не найдены.  [13]

Дополнительный вклад в полный потенциал ячейки дает движущая сила, требующаяся для протекания электродных реакций с заметными скоростями. Поверхностное перенапряжение определяется как потенциал рабочего электрода относительно электрода сравнения того же типа, помещенного в раствор вблизи поверхности рабочего электрода. Таким образом, этот электрод сравнения является одним из тех, которые используются для определения концентрационного перенапряжения.  [14]

Дополнительный вклад в активизацию сульфатредукции и образование биогенного сероводорода в нефтяном пласте может вносить использование в различных технологических процессах добычи нефти химических реагентов. В работах [28-30] показано, что некоторые из них ( некоторые типы ПАВ и композиций на их основе, полимеров, ингибиторов коррозии, деэмульгаторов и других веществ) вызывают нежелательное стимулирование сульфатредукции.  [15]



Страницы:      1    2    3    4