Обратно рассеянное излучение

Cтраница 1

Обратно рассеянное излучение ( альбедо излучения) возникает при многократном рассеянии квантов в контролируемом объекте и поглотителе, расположенном за объектом. При: этом часть рассеянного излучения выходит обратно из поглотителя и воздействует на детектор и обслуживающий персонал. [2]

Константы, используемые при расчете технологических каналов. [3]

Однако такие расчеты весьма затруднительны, так как необходимо знать спектрально-угловое распределение обратно рассеянного излучения, а также учитывать вклад многократно отраженного излучения от стен каналов. [4]

Принципиальный подход к решению задачи заключается в использовании количественной дифференциальной информации о поле обратно рассеянного излучения. [5]

Гамма-дефектоскоп Дизель. [6]

Магазин-контейнер для хранения набора кассет, а также штатив оборудованы защитными экранами, предохраняющими пленку от воздействия радиационного фона и обратно рассеянного излучения. [7]

При решении задачи любой геометрии вычисляют вклад в точку детектирования Р излучения от элементарного источника dS, рассеянного от элементарного участка рассеивающей поверхности dSpac, затем интегрированием по всей поверхности источника, видимой из элемента с ( 5рас, и по всей поверхности рассеивателя 51) ас, видимой из точки детектирования, определяют полную компоненту обратно рассеянного излучения. [8]

К многослойным изделиям относятся многочисленные изделия с различными покрытиями, толщина которых много меньше толщины основного металла и доступ к которым возможен только с одной стороны. Обратно рассеянное излучение может иметь такой же вид, как первичное, или иной, в частности световые фотоны. Для толщинометрии чаще других используют у-излучение с регистрацией рассеянных 7 квантов, рентгеновское излучение с регистрацией характеристического электромагнитного излучения и р-излучение с регистрацией р-частиц. Жесткое рентгеновское и у-из-лучение применяются при измерении больших толщин ( до десятков мм), р-излучение и рентгеновское малых энергий - при измерении тонких покрытий ( обычно менее 1 мм) для различных изделий. [9]

Эффект накопления вторичных электронов в поглотителе.| Кривые распределения по глубине дозы поглощенной энергии электромагнитного излучения в воде. ( Расстояние между источником излучения и поверхностью воды 80 площадь пучка падающей радиации у поверхности воды 100см2. [10]

Часть вторичных электронов и рассеянного электромагнитного излучения отражается в обратном направлении и увеличивает интенсивность радиации в точке Р ( см. рис. 3.11) над поверхностью по отношению к интенсивности в этой же точке, но без поглотителя. Количество обратно рассеянного излучения зависит от энергии падающих фотонов, природы поглощающего материала и площади облучаемой поверхности. Наибольший вклад в отраженное излучение вносит обратное рассеяние падающих квантов, которые имеют большие пробеги. Поэтому, говоря об обратном рассеянии, подразумевают только электромагнитную составляющую, а вторичным отраженным электронным излучением пренебрегают. [11]

Зависимость дозового фактора накопления от толщины стали для радиоизотопных источников. [12]

Это существенно ухудшает чувствительность контроля и увеличивает интенсивность излучения, воздействующего на персонал. При использовании в цехах защитных камер без дополнительных потолков обратно рассеянное излучение может создать фон на смежных участках. [13]

Пусть параметры облачного поля неизменны, а изменяется I и, следовательно, с / эф за счет вариаций углов расходимости и асстояния до облачного слоя. Тогда при уменьшении отношения 1 / D будет монотонно уменьшаться влияние боковых сторон на обратно рассеянное излучение и при ( rf / D) cl формула (10.8) будет приемлема для вычисления среднего лидарного сигнала как от слоистой ( у: 1), так и кучевой ( у - 1) облачности. Для наземных и самолетных лидаров J-1 м, тогда как D - 500 - 1000 м, т.е. W / D) cl и соотношение (10.8) выполняется с высокой точностью. Между двумя рассмотренными выше предельными случаями имеется существенное различие. Если при у sc 1 асимптотику (10.8) можно использовать при вычислении средней интенсивности рассеянного лазерного излучения при любых значениях г, со и t, то при ( rf / D): l формула (10.8) справедлива для моностатического, но может оказаться неприемлемой для бистатического лидара. [14]

К использованию концепции дифференциального альбедо ( азимутальные углы рассеяния ф для простоты на рисунке не показаны. [15]

Страницы: 1 2