Поглощаемое излучение
Cтраница 1
Поглощаемое излучение регистрируется по его длине волны, частоте или волновому числу. Поглощение излучения детектируется электронными приборами и записывается в виде графика. Сильное поглощение в узкой области частот проявляется в записанном спектре в виде острого пика или спектральной линии. Пики поглощения не всегда оказываются узкими и острыми, потому что на каждый колебательный энергетический уровень накладывается целый ряд вращательных энергетических уровней ( см. рис. 13 - 32); вследствие этого каждый колебательный переход в действительности представляет собой наложение друг на друга переходов между многими колебательно-вращательными уровнями. [1]
 |
Формы поглощающих нагрузок калориметрических измерителей. [2] |
Поглощаемое излучение вызывает электрически регистрируемый процесс. [3]
Поглощаемое излучение, действие которого становится малым после прохождения свинцовой пластинки толщиной в 2 5 см, ведет себя, следовательно, как у-излучспие, поглощаемое за счет эффекта Комптоиа па электронах. [4]
Любое поглощаемое излучение в той или иной степени нагревает тела. Однако инфракрасное излучение обнаруживается только по его тепловому действию - нагреванию тел, которые его поглощают. Все отопительные устройства являются источниками инфракрасных волн и нагревают тела, которые поглощают эти волны. [5]
Любое поглощаемое излучение в той или иной степени нагревает тела. Однако инфракрасное излучение обнаруживается только по его тепловому действию - нагреванию тел, которые его поглощают. Все отопительные устройства являются источниками инфракрасных волн и нагревают тела, поглощающие эти волны. [6]
Сильно поглощаемое излучение создает вблизи поверхности полупроводника значительную концентрацию неравновесных электронов и дырок. Вследствие градиента концентрации эти носители диффундируют от освещаемой поверхности. Электроны обладают большей подвижностью, чем дырки, поэтому электронное облако продвинется дальше в глубь кристалла, чем облако дырок. Такая разница в диффузии приводит к тому, что поверхность оказывается положительно заряженной по отношению к объему. [7]
Любое поглощаемое излучение в той или иной степени нагревает тела. Однако инфракрасное излучение обнаруживается только по его тепловому действию - нагреванию тел, которые его поглощают. Все отопительные устройства являются источниками инфракрасных волн и нагревают тела, поглощающие эти волны. [8]
Сильно поглощаемое излучение, сопровождающее а-лучп полония. [9]
 |
Возможная схема 2Н О2. [10] |
Частота поглощаемого излучения зависит от природы заместителей в молекуле хлорофилла. Кроме хлорофилла, в растениях имеются другие пигменты, такие, как каротиноиды, поглощающие свет с высокой энергией. [11]
Различные частоты поглощаемого излучения соответствуют раличным внутримолекулярным возбуждениям. [12]
Когда измерение абсолютной интенсивности поглощаемого излучения затруднено или закон Ламберта - Бера не выполняется, строят калибровочный график, используя растворы определяемого вещества известной концентрации, или непосредственно сравнивают интенсивность поглощения исследуемого раствора с интенсивностью поглощения в той же области спектра стандартного раствора того же вещества. [13]
В табл. 8 представлены области поглощаемого излучения, в которых происходит возбуждение электронов, а также колебательных и вращательных движений. В настоящие дни электронная и инфракрасная спектроскопия служат химику, и особенно химику-органику, весьма существенным подсобным средством во всех областях его деятельности. [14]
Если поверхность полупроводника освещается сильно поглощаемым излучением, то вблизи поверхности возникает высокая концентрация электроннодырочных пар. [15]
Страницы: 1 2 3 4